CIP-2021 : H01L 21/04 : los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie,
p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/04 · · los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Convertidor matricial para la transformación de energía eléctrica.
(15/03/2017). Solicitante/s: ALSTOM Transport Technologies. Inventor/es: DUTARDE,EMMANUEL, BREIT,FABRICE, Beuille,Christophe, SCHNEIDER,HENRI.
Convertidor matricial para la transformación de energía eléctrica entre al menos una fuente de tensión , especialmente una red de alimentación y al menos una fuente de corriente , especialmente una carga, constando dicho convertidor de una matriz de interruptores que une dichas fuentes de tensión con dichas fuentes de corriente , caracterizado porque dichos interruptores constan cada uno de dos bornes dispuestos en dos planos paralelos distintos y un sustrato diamante fotoconductor interpuesto entre dichos dos bornes del interruptor , estando realizado el control de cada interruptor por medio de una fuente óptica que irradia el sustrato diamante interpuesto entre los dos bornes y porque cada interruptor del convertidor está formado por un sustrato diamante individual que está soportado por un sustrato cerámico soporte por medio de una capa de vidrio.
PDF original: ES-2625771_T3.pdf
Procedimiento de fabricación de un transistor de efecto de campo de unión JFET.
(18/05/2016) Procedimiento de fabricación de un transistor de efecto de campo de tipo de puerta en zanja que comprende:
- La formación de al menos una zanja en una capa activa semiconductora de un primer tipo de conductividad de un substrato que comprende dos caras opuestas denominadas cara delantera y cara trasera,
- La implantación primaria de iones que tienen un segundo tipo de conductividad de modo que se implante cada zanja del substrato para formar una región activa de puerta,
- El depósito de una capa de silicio policristalino del segundo tipo de conductividad sobre la región activa de puerta implantada,
- La oxidación parcial de la capa de silicio policristalino para obtener una película (3') aislante eléctricamente de…