CIP-2021 : H01L 21/36 : Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.

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Notas^[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
Los grupos H01L 21/70 tienen prioridad sobre los grupos H01L 21/02 - H01L 21/67 .

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/36 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento para la fabricación de un semiconductor compuesto así como célula solar de capas delgadas.

(18/10/2018) Procedimiento para la fabricación de un semiconductor compuesto , que comprende las siguientes etapas: - generación al menos de una pila de capas precursoras , que se compone de una primera capa precursora , una segunda capa precursora y una tercera capa precursora , en donde en una primera etapa se fabrica la primera capa precursora mediante depósito de los metales cobre, indio y galio sobre un cuerpo , y en una segunda etapa se fabrica la segunda capa precursora mediante depósito al menos de un calcógeno, seleccionado entre azufre y selenio, sobre la primera capa precursora , y en una tercera etapa se fabrica la tercera capa precursora mediante depósito de los metales cobre,…

Formación de películas finas en múltiples fases para dispositivos fotovoltaicos.

(11/01/2017) Un método para producir una película de un material compuesto que comprende las etapas de proporcionar un sustrato; depositar una película en el sustrato usando un material totalmente reaccionado, en el que la película depositada y el material totalmente reaccionado tienen una primera composición química que incluye al menos un primer elemento químico y al menos un segundo elemento químico; en el que dicha etapa de deposición de la película comprende las etapas de preparar el material totalmente reaccionado desde dicho al menos un primer elemento químico y dicho al menos un segundo elemento químico, formar al menos una diana…

PROCEDIMIENTO PARA REALIZAR TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS MONOLITICOS EN UN SUBSTRATO TIPO P DE ELEVADA RESISTIVIDAD.

(16/03/1977). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED. Inventor/es: BEADLE, WILLIAM EDGAR, MOYER, STANLEY FLOYD, YIANNOULOS, ARISTIDES ANTONY.

Resumen no disponible.