(16/11/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH. Inventor/es: MUHE,ANDREAS, ALTEKRUGER,BURKHARD, VONHOFF,AXEL.

Instalación de crecimiento de cristales, en particular instalación de crecimiento de cristales semiconductores, con un crisol que puede ser calentado para una masa fundida y una disposición de bobinas colocada coaxial con el crisol para generar un campo magnético en la masa fundida , comprendiendo la disposición de bobinas tres o más bobinas, que están colocadas unas sobre otras en dirección axial y que en cada caso están atacadas con una tensión alterna, estando la tensión alterna aplicada a una bobina desplazada en fase con respecto a la tensión alterna aplicada a la bobina adyacente, caracterizada porque las bobinas están formadas por un cuerpo cilíndrico hueco de un material eléctricamente conductor, formando éste mediante una ranura múltiples veces circular un camino de corriente circular de una sola capa en forma de espiral, el cual mediante puntos de contacto que pueden conectarse al suministro de tensión está subdividido en secciones, que en cada caso forman una bobina.

(16/07/2006). Solicitante/s: MTU AERO ENGINES GMBH. Inventor/es: GLATZEL, UWE, PROF. DR., MACK, THOMAS, DR., WILLMER, SILKE, DR., WORTMANN, JURGEN, DR..

Aleación basada en níquel para la fabricación técnica por moldeo de componentes solidificados monocristalinos, especialmente de paletas para etapas de turbinas de alta velocidad en turbinas de gas, con una proporción de renio (Re) de al menos 2, 3 a como máximo 2, 6% en peso, una proporción de volframio (W) cuya relación en peso con la proporción de renio (Re) asciende de al menos 1, 1 a como máximo 1, 6, una proporción de aluminio (Al) de al menos 6, 2 a como máximo 6, 8% en peso, una proporción de cobalto (Co) de al menos 7, 2 a como máximo 7, 8% en peso, una proporción de cromo (Cr) de al menos 5, 8 a como máximo 6, 4% en peso, una proporción de hafnio (Hf) de al menos 0, 05 a como máximo 0, 15% en peso, una proporción de molibdeno (Mo) de al menos 1, 7 a como máximo 2, 3% en peso, una proporción de tantalio (Ta) de al menos 2, 0 a como máximo 2, 6% en peso, y una proporción de titanio (Ti) de a menos 0, 9 a como máximo 1, 1% en peso, el resto níquel e impurezas.

(01/05/2004). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE. Inventor/es: LEYCURAS, ANDRE.

Procedimiento de crecimiento cristalino de un material sobre un primer material sólido , a partir de un material en fusión, sobre el primer material sólido , caracterizado porque comprende: - una etapa (a) de crecimiento del primer material sobre un substrato , constituido por un segundo material , - una etapa (d, d’) en la cual se hacen crecer unas puntas cristalinas del primer material a partir de la intercara del primer material y del material en fusión, imponiendo un gradiente de temperatura en la dirección perpendicular a la superficie libre del material en fusión tal que la intercara entre el primer material y el material en fusión esté a una temperatura más elevada que la temperatura en la superficie libre del material en fusión; - una etapa (f, f’) que consiste en hacer crecer, lateralmente, en un plano principalmente paralelo al de la superficie libre del material en fusión, unos cristales a partir de las puntas cristalinas, invirtiendo el signo del gradiente.

(16/04/2003). Solicitante/s: CANNON-MUSKEGON CORPORATION. Inventor/es: ERICKSON, GARY L.

Una superaleación a base de níquel resistente a la corrosión en caliente incluyendo los elementos siguientes en porcentaje en peso: Cromo 14, 2-15, 5 Cobalto 2, 0-4, 0 Molibdeno 0, 30-0, 45 Tungsteno 4, 0-5, 0 Tántalo 4, 5-5, 8 Niobio 0, 05-0, 25 Aluminio 3, 2-3, 6 Titanio 4, 0-4, 4 Hafnio 0, 01-0, 06 Carbono 0-0, 05 Boro 0-0, 03 Circonio 0-0, 03 Renio 0-0, 25 Silicio 0-0, 10 Manganeso 0-0, 10 Níquel + Impurezas incidentales Equilibrio teniendo dicha superaleación un número de estabilidad de fase NV-3B inferior a aproximadamente 2, 45.

(16/02/2003). Solicitante/s: ONERA (OFFICE NATIONAL D'ETUDES ET DE RECHERCHES AEROSPATIALES). Inventor/es: CARON, PIERRE, RAFFESTIN, JEAN-LOUIS, NAVEOS, SERGE.

Se presenta una superaleación basada en níquel especialmente para las palas móviles y estacionarias monocristalinas de motores de turbina de gas de aviones y helicópteros. Se presenta una nueva superaleación con base de níquel que tiene contenidos específicos de renio y rutenio. Una superaleación basada en níquel tiene la composición (en porcentajes en peso) de entre un 3,5 y un 7,5% de Cr, entre 0 y un 1,5% de Mo, entre un 1,5 y un 5,5% de Re, entre un 0 y un 5,5% de Ru, entre un 3,5 y un 8,5% de W, entre un 5 y un 6,5% de Al, entre 0 y 2,5% de Ti, entre un 4,5 y un 9% de Ta, entre un 0,08 y un 0,12% de Hf, entre un 0,08 y un 0,12 de Si, el resto ser Ni e impurezas.

(16/10/2000). Solicitante/s: CENTRUM BADAN WYSOKOCISNIENIOWYCH. Inventor/es: POROWSKI, SYLWESTER, JUN, JAN, GRZEGORY, IZABELLA, KRUKOWSKI, STANISLAW, WROBLEWSKI, MIROSLAW.

SE PROPORCIONA UN PROCESO PARA LA FABRICACION DE UNA ESTRUCTURA CRISTALINA DE MULTIPLES CAPAS DE NITRUROS DE METALES DEL GRUPO III DE LA TABLA PERIODICA QUE INCLUYE GAN, AIN E INN. EL PROCESO INCLUYE LOS PASOS DE CALENTAR UN METAL DEL GRUPO III A UNA TEMPERATURA T1 BAJO UNA PRESION DE NITROGENO EN EQUILIBRIO MIENTRAS SE MANTIENE LA ESTABILIDAD DEL NITRURO DE METAL DEL GRUPO III PARA FORMAR UNA PRIMERA CAPA DE CRISTAL DE NITRURO DE METAL DEL GRUPO III. POSTERIORMENTE, EL METODO INCLUYE EL PASO DE FORMAR UNA SEGUNDA CAPA DE CRISTAL DEL NITRURO DE METAL DEL GRUPO III MEDIANTE LA REDUCCION DE LA PRESION DE NITROGENO DE MODO QUE LA SEGUNDA CAPA DE CRISTAL CREZCA EN LA PRIMERA CAPA CON UNA VELOCIDAD DE CRECIMIENTO INFERIOR AL CRECIMIENTO DE LA PRIMERA CAPA A UNA TEMPERATURA T2 NO SUPERIOR A LA TEMPERATURA T1. LA SEGUNDA CAPA CRECE EN AL MENOS UNA PORCION DE LA PRIMERA CAPA CON UN GROSOR PREDETERMINADO BAJO LA NUEVA PRESION DE NITROGENO.

(01/12/1999). Solicitante/s: SPI POLYOLS, INC. Inventor/es: DUROSS, JAMES WIX.

EL SORBITOL/XILITOL COCRISTALIZADO DE FUSION OFRECE PROPIEDADES MEJORADAS DE PROCESO EN RELACION A MEZCLAS DE SORBITOL CRISTALINO Y XILITOL CRISTALINO. TAMBIEN SE DESCRIBEN COMPOSICIONES INGERIBLES, TALES COMO COMPRIMIDOS Y CHICLE, QUE CONTIENEN SORBITOL/XILITOL COCRISTALIZADO DE FUSION ASI COMO UN PROCESO PARA SU PRODUCCION.

(01/11/1998). Solicitante/s: CANNON-MUSKEGON CORPORATION. Inventor/es: HARRIS, KENNETH, ERIDON, JOHN M., SIKKENGA, STEVEN L.

UNA SUPER-ALEACION DE CRISTAL SIMPLE, MEJORADA, BASADA EN NIQUEL TIENE TANTO UN CONTENIDO EXTREMADAMENTE BAJO DE AZUFRE COMO UN CONTENIDO MUY BAJO DE ITRIO (Y/O LANTANO O CESIO) MEDIANTE LO CUAL LA CANTIDAD DE ITRIO AUNQUE MUY BAJA, ES SUFICIENTE PARA REACCIONAR CON EL AZUFRE RESTANTES, DISPONIBLE EN LA ALEACION Y CON EL AZUFRE DEL COMBUSTIBLE USADO EN EL FUNCIONAMIENTO DE UN MOTOR DE TURBINA, DE MANERA QUE LA CAPA MUY FINA DE OXIDO DE ALUMINIO FORMADA SOBRE LA SUPERFICIE DE LAS PIEZAS DE LA ALEACION BASADA EN NIQUEL EXPUESTAS A LAS TEMPERATURAS MUY ALTAS QUE INCIDEN EN MOTORES DE TURBINA DE ALTO RENDIMIENTO APORTARA UNA PROTECCION PARA LAS SUPERFICIES DE ESTOS COMPONENTES DEL MOTOR, A TRAVES DE LA ELIMINACION VIRTUAL DEL DESCASCARILLAMIENTO DE ESCAMAS DE OXIDO DE ALUMINIO MEDIANTE EL FUNCIONAMIENTO CICLICO DEL MOTOR.

(16/11/1997). Solicitante/s: CANNON-MUSKEGON CORPORATION. Inventor/es: ERICKSON, GARY L.

UNA SUPERALEACION BASADA EN NIQUEL QUE CONTIENE LOS SIGUIENTES ELEMENTOS EN PORCENTAJE EN PESO: DE UN 5,0 APROXIMADAMENTE A UN 7,0 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE RENIO, DE UN 1,8 APROXIMADAMENTE A UN 4,0 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE CROMO, DE UN 1,5 APROXIMADAMENTE A UN 9,0 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE COBALTO, DE UN 7,0 APROXIMADAMENTE A UN 10,0 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE TANTALO, DE UN 3,5 APROXIMADAMENTE A UN 7,5 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE TUNGSTENO, DE UN 5,0 APROXIMADAMENTE A UN 7,0 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE ALUMINIO, DE UN 0,1 APROXIMADAMENTE A UN 1,2 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE TITANIO, DE UN 0 APROXIMADAMENTE A UN 0,5 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE COLUMBIO, DE UN 0,25 APROXIMADAMENTE A UN 2,0 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE MOLIBDENO, DE UN 0 APROXIMADAMENTE A UN 0,15 POR CIENTO APROXIMADAMENTE DE HAFNIO Y EL EQUILIBRIO DE NIQUEL + IMPUREZAS INCIDENTALES, TENIENDO LA SUPERALEACION UN NUMERO DE ESTABILIDAD DE FASE NV3B INFERIOR A 2,10 APROXIMADAMENTE.

(16/11/1996). Solicitante/s: SULZER- MTU CASTING TECHNOLOGY GMBH. Inventor/es: WORTMANN, JURGEN, DR., WEGE, ROBERT, STAUB, FRITZ, WALSER, BRUNO.

LA INVENCION TRATA DE UN METODO Y DISPOSITIVO PARA LA ELABORACION DE PALETAS DE ENGRANAJE DE UN SOLO CRISTAL MEDIANTE LA FUNDICION DE UN BAÑO DE FUSION DENTRO DE UN MOLDE DE FUNDICION QUE TIENE UN CRISTAL NUCLEO COLOCADO EN EL FONDO DEL BAÑO DE CONSTRUCCION Y UN DISPOSITIVO PARA LLEVAR A CABO ESTE PROCEDIMIENTO. CON ESTE DISPOSITIVO SE ALCANZA UNA ALTA REPRODUCCION EN LA FABRICACION DE PALETAS. PARA ELLO SE PREPARA EL CRISTAL DE NUCLEO DE UN SOLO CRISTAL CON UNA DENSIDAD DE EFECTO MINIMA Y SE ACOPLA EN POCOS SEGUNDOS UN MOLDE DE FUNDICION LIMPIO AL VACIO A UNA TEMPERATURA ALTA CON UN CRISTAL DE NUCLEO Y SE FUNDE LA FUNDICION SOBRE EL CRISTAL DE NUCLEO.

(16/01/1996). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS). Inventor/es: TOURNIER, ROBERT.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO DE PREPARACION DE UN CUERPO MAGNETICO ORIENTADO Y ESTRUCTURADO, QUE COMPRENDE LAS ETAPAS CONSISTENTES EN: PREPARAR UNA COMPOSICION TAL QUE DESPUES DEL PASO A ESTADO FUNDIDO Y SOLIDIFICACION, PROPORCIONA SENSIBLEMENTE UNICAMENTE DICHA SUSTANCIA Y QUE, A LA TEMPERATURA DE FUSION DE ESTA COMPOSICION, EXISTEN CRISTALITOS DE DICHA SUSTANCIA; CALENTAR LENTAMENTE CERCA DE LA TEMPERATURA DE FUSION HASTA ALGUNOS GRADOS POR ENCIMA DE ESTA TEMPERATURA, DE MANERA QUE PERMANECEN CRISTALITOS DE DICHA SUSTANCIA EN UNA FASE LIQUIDA; ENFRIAR LENTAMENTE CERCA DE LA TEMPERATURA DE FUSION, HASTA LA SOLIDIFICACION; Y APLICAR, AL MENOS A PARTIR DEL MOMENTO EN QUE LA SUSTANCIA EMPIEZA A ENTRAR EN ESTADO LIQUIDO HASTA EL MOMENTO EN QUE SE SOLIDIFICA COMPLETAMENTE, UN CAMPO MAGNETICO DE INTENSIDAD SUFICIENTE PARA CONFERIR, NO OBSTANTE LA ENERGIA DE AGITACION TERMICA, UNA ORIENTACION PRIVILEGIADA DE LOS CRISTALITOS DE DIMENSIONES SUFICIENTES PARA CONSTITUIR GERMENES DE CRISTALIZACION.

(16/07/1992). Solicitante/s: SOCIETE EUROPEENNE DE PROPULSION. Inventor/es: VALENTIAN, DOMINIQUE.

EL CARTUCHO COMPRENDE UNA PARED CILINDRICA UNICA REALIZADA EN MATERIALES COMPUESTOS PARA ASEGURAR A LA VEZ LAS FUNCIONES DE CONTENIDO MECANICO, DE ESTANQUEIDAD Y DE ADAPTACION DE LA CONDUCTIVIDAD A LA DE LA MUESTRA CONSERVANDO UNA COMPATIBILIDAD FISICA Y QUIMICA CON LA DE LA MUESTRA. LA PARED UNICA PUEDE REALIZARSE PARTICULARMENTE A PARTIR DE FIBRAS DE CARBONO IMPREGNADAS DE CARBONO O DE FIBRAS DE CARBURO DE SILICIO IMPREGNADAS DE CARBURO DE SILICIO.

(01/05/1992). Solicitante/s: SOCIETE EUROPEENNE DE PROPULSION. Inventor/es: VALENTIAN, DOMINIQUE.

EL HORNO DE GRADIENTE DESTINADO A LA SOLIDIFICACION ORIENTADA, PARTICULARMENTE POR EL METODO DE BRIDGMAN, COMPRENDE UN RECINTO QUE DEFINE SUCESIVAMENTE LA LONGITUD DE UN CARTUCHO UNA ZONA DE CALENTAMIENTO , UNA ZONA ADIABATICA Y EN POZOS DE CALOR , DE MEDIOS PROVISTO PARA DESPLAZAR A UNA VELOCIDAD PREDETERMINADA EL CARTUCHO CON RELACION AL RECINTO . LA ZONA ADIABATICA DEL HORNO DE GRADIENTE COMPRENDE UNA PARTE ANULAR FIJA EXTERNA MONTADA DE MANERA FIJA AL INTERIOR DEL RECINTO , Y UNA PARTE ANULAR AMOVIBLE, COAXIAL A DICHA PARTE ANULAR FIJA Y MONTADA EN EL INTERIOR DE ELLA, Y LA PARTE ANULAR AMOVIBLE ESTA FORMADA POR UN CONJUNTO DE ELEMENTOS (221 A 224) DE CONDUCTIVIDADES TERMICAS DIFERENTES, A FIN DE ADAPTAR LAS CARACTERISTICAS DE LA ZONA ADIABATICA A LAS DE LA MUESTRA CONTENIDA EN EL CARTUCHO.

(01/02/1992). Solicitante/s: ETAT FRANCAIS REPRESENTE PAR LE MINISTRE DES PTT (CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS). Inventor/es: LAMBERT, BERTRAND, TOUDIC, YVES, COQUILLE, RENE.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE SEMI-AISLANTES 3-5-MONOCRISTALINOS POR DOPADO, CARACTERIZADO EN QUE SE DOPE LA CARGA DE SALIDA DE TIPO P CON AL MENOS UN DONANTE PROFUNDO DEBIDO A UN ELEMENTO DE TRANSICION. SE REFIERE IGUALMENTE A LA UTILIZACION DE SEMI-AISLANTES OBTENIDOS EN LOS CAMPOS DE LA OPTOELECTRONICA Y DE LA ELECTRONICA RAPIDA.

(01/07/1991). Solicitante/s: ALLIED-SIGNAL INC. (A DELAWARE CORPORATION). Inventor/es: NGUYEN-DINH, XUAN.

ARTPICULOS MONOCRISTALINOS DE SUPERALEACIONES A BASE DE NIQUEL, PREFERIBLEMENTE BALAS Y ALABES DE TURBINAS DE GAS PARA AVIONES, Y UN PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE LOS MISMOS, EN EL QUE SE ACRECIENTA LA ESTABILIDAD DE LAS FASES DESPUES DE UNA EXPOSICION PROLONGADA A TEMPERATURAS ELEVADAS, REGULANDO EL CONTENIDO DE ELEMENTOS FUERTEMENTE REFRECTARIOS Y DE ELEMENTOS FORMADORES DE LA FASE GAMMA-PRIMA. EL INTERVALO DE COMPOSICION NOMINAL DE LA ALEACION, EN PORCENTAJE EN PESO, ES DE 4 A 6% DE CROMO, DE 8 A 12% DE COBALTO, DE 1 A 2,5% DE MOLIBDENO, DE 3 A 6% DE VOLFRAMIO, DE 1,8 A 3,2% DE RENIO, DE 0 A 2,5% DE RUTENIO, DE 5 A 6% DE ALUMINIO, DE 0,5 A 1,5% DE TITANIO, DE 7 A 10% DE TANTALIO, DE 0,08 A 0,12% DE HAFNIO, Y EL RESTO DE NIQUEL. LA SUMA DE LOS ELEMENTOS FUERTEMENTE REFRACTARIOS, MOLIBDENO Y VOLFRAMIO Y RENIO, ES DE 8,4 A 10,4%, Y LA SUMA DE LOS ELEMENTOS FORMADORES DE LA FASE GAMMA PRIMA, ALUMINIO MAS TITANIO MAS TANTALIO, ES DE 13,8 A 15,7%.

(01/09/1985). Solicitante/s: DURACELL INTERNATIONAL INC..

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE PARTICULAS MONOCRISTALINAS PARA SER EMPLEADAS EN ANODOS DE PILAS ELECTROQUIMICAS.COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE FORMA UN REVESTIMIENTO SUSTANCIALMENTE CONTINUO SOBRE LAS SUPERFICIES EXTERNAS DE CADA UNA DE LAS PARTICULAS INDIVIDUALES DE UN MATERIAL METALICO, CONSTITUIDO POR PARTICULAS CRISTALIZABLES; SEGUNDA, SE ELEVA LA TEMPERATURA DEL MATERIAL CONSTITUIDO POR PARTICULAS POR ENCIMA DEL PUNTO DE FUSION DEL MISMO, PERO POR DEBAJO DE LA MAS BAJA DE LAS TEMPERATURAS DE FUSION; Y POR ULTIMO, SE ENFRIA LENTAMENTE DICHO MATERIAL METALICO, CON LO QUE SUSTANCIALMENTE LA TOTALIDAD DE DICHAS PARTICULAS SE CONVIERTEN EN MONOCRISTALES METALICOS INDIVIDUALES.

(01/08/1983). Solicitante/s: SEMIX INCORPORATED.

PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA LAMINA DE SILICIO SEMICRISTALINO. SE PROPORCIONA UNA SUPERFICIE RESISTENTE A LA INTERACCION CON EL SILICIO FUNDIDO, PRECALENTANDOSE DICHA SUPERFICIE A UNA TEMPERATURA DE 950 A 1.410 C. SE SUMERGE LA SUPERFICIE CALIENTE EN UN BAÑO DE SILICIO FUNDIDO QUE SE MANTIENE A UNA TEMPERATURA DE 2 A 10 C POR ENCIMA DEL PUNTO DE FUSION DEL SILICIO. SE EXTRAE LA SUPERFICIE DEL BAÑO CON UNA CAPA DE CRECIMIENTO CRISTALINO ADHERIDA A LA MISMA, ENFRIANDOSE DICHA CAPA Y SEPARANDOSE ESTA DE LA SUPERFICIE EN FORMA DE UNA LAMINA DE SILICIO. SE UTILIZA COMO MATERIAL ANFITRION PARA CELULAS FOTOVOLTAICAS.