CIP-2021 : C30B 25/00 : Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos,
p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.
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Notas[g] desde C30B 23/00 hasta C30B 25/00: Crecimiento de monocristales a partir de vapores
C30B 25/02 · Crecimiento de un lecho epitaxial.
C30B 25/04 · · Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas.
C30B 25/06 · · por pulverización reactiva.
C30B 25/08 · · Recintos de reacción; Empleo de un material específico para este fin.
C30B 25/10 · · Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato.
C30B 25/12 · · Portasustrato o soportes.
C30B 25/14 · · Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de gases reactivos.
C30B 25/16 · · Control o regulación (control o regulación en general G05).
C30B 25/18 · · caracterizado por el sustrato.
C30B 25/20 · · · siendo el sustrato del mismo material que el lecho epitaxial.
C30B 25/22 · · Procesos en los cuales el crecimiento interviene sobre las dos caras.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Preparación de material semiconductor de cristal individual usando una plantilla nanoestructural.
(03/07/2019). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un procedimiento para crear nanoestructuras de semiconductor, el cual comprende los pasos de:
(a) proporcionar un material de plantilla que comprende una capa de material semiconductor y un sustrato;
(b) crear una máscara encima del material de plantilla;
y
(c) usar la máscara para formar al menos una nanoestructura en el material de plantilla; las nanoestructuras se forman mediante decapado del material de plantilla, donde el paso (b) incluye depositar una capa de material dieléctrico sobre el material de plantilla, y donde una capa de metal se aplica sobre la capa de material dieléctrico.
PDF original: ES-2744818_T3.pdf
Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad.
(15/11/2017). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende:
a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna semiconductora compuesta cultivada en el para proporcionar una superficie de crecimiento de iniciacion epitaxial;
b) cultivar un material semiconductor compuesto en la nanocolumna usando sobrecrecimiento lateral epitaxial y (c) separar del sustrato el material semiconductor compuesto cultivado,
en el que la nanocolumna se cultiva con un solo material dopado o no dopado, o con la combinacion de etapas de no dopado y dopado o etapas de n dopado y p dopado, y
en el que la nanocolumna incluye una region de tipo p proxima a la superficie de crecimiento.
PDF original: ES-2657666_T3.pdf
Procedimientos y aparatos para reactores de deposición.
(18/05/2016) Un procedimiento que comprende:
guiar vapor precursor a lo largo de al menos un conducto de alimentación al interior de una cámara de reacción de un reactor de deposición; y
depositar material sobre las superficies de un lote de sustratos colocados verticalmente en la cámara de reacción mediante el establecimiento de un flujo vertical del vapor precursor en la cámara de reacción y hacer que entre en una dirección vertical entre los citados sustratos colocados verticalmente, de manera que el vapor precursor fluya desde el lado superior de un espacio de reacción al lado inferior del espacio de reacción esencialmente en la misma dirección vertical para lela a lo largo de cada una de las citadas superficies;
en el que el citado vapor precursor es alimentado a través de una tapa de la cámara de reacción al interior de un volumen de expansión y…
Método para la preparación continua de silicio policristalino usando un reactor de lecho fluidizado.
(23/04/2014) Un método para la preparación de silicio policristalino que usa un reactor de lecho fluidizado para la preparación de silicio policristalino granular, en el que una salida de gas de reacción de un medio de suministro de gas de reacción, que suministra un gas de reacción que contiene silicio de forma que tiene lugar la deposición de silicio al tiempo que se mantiene fluidizado el lecho de partículas de silicio formado en el interior de un tubo de reactor, está ubicada en el interior del lecho de partículas de silicio y, con un extremo de salida de la salida de gas de reacción como la altura de referencia, estando los espacios superior e inferior del tubo de reactor definidos…
MICROCAVIDADES OPTICAS Y ESPONJAS FOTONICAS, PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION Y SUS APLICACIONES EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTONICOS.
(22/10/2010) Microcavidades ópticas y esponjas fotónicas, procedimiento de producción y sus aplicaciones en la fabricación de dispositivos fotónicos.
La invención describe una microesfera de silicio con diámetro entre 0.1 y 50 micras capaz de funcionar como una microcavidad óptica con modos resonantes tipo Mie para longitudes de onda comprendidas entre 1 y 15 micras, y una esponja fotónica constituida a partir de ellas. La obtención de la misma se lleva a cabo por un método sencillo basado en la descomposición por calentamiento de los precursores gaseosos. El uso de estas microesferas y esponjas fotónicas reside en la fabricación de dispositivos fotónicos, por ejemplo, células solares, fotodiodos, láseres y sensores
METODO Y APARATO PARA HACER CRECER CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO.
(16/06/2005) Método de control y potenciación del crecimiento de cristales únicos de SiC de alta calidad en un sistema de crecimiento de cristales de SiC, comprendiendo el método dirigir y mantener un flujo de un gas fuente de carbono y un gas fuente de silicio a un área de reacción mientras se calienta el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono hasta aproximadamente la temperatura de reacción; hacer reaccionar el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono en el área de reacción para formar especies evaporadas que contienen carbono y silicio; y dirigir y mantener un flujo de especies evaporadas que contengan carbono…
GEMAS DE DIAMANTE ARTIFICIALES FORMADAS DE NITRURO DE ALUMINIO Y ALEACIONES DE NITRURO DE ALUMINIO:CARBURO DE SILICIO.
(16/09/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: HUNTER, CHARLES, ERIC.
Gema de diamante artificial que comprende un monocristal de AlN o aleación de AlN:SiC, incoloro y sintético que tiene facetas pulidas hasta un grado de alisado característico de las gemas de diamante terminadas y suficiente para permitir la introducción de la luz en la gema para la reflexión interna desde el interior de la gema.
CONJUNTOS DE CRISTALES ORIENTADOS.
(01/04/2004). Solicitante/s: ROBERTS, ELLIS E. Inventor/es: ROBERTS, ELLIS E.
SE PRESENTA UN ARTICULO DE FABRICACION QUE COMPRENDE UNOS CRISTALES SENCILLOS SINTETICOS DE TALLA Y FORMA UNIFORME SELECCIONADOS DE ENTRE UN GRUPO QUE CONSISTE EN NITRURO DE BORO CUBICO O DE DIAMANTE Y MANTENIDOS EN UNA FORMACION (FIG. 1, 10, 19, 33) CON UNAS DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS SELECCIONADAS DE LOS CRISTALES ORIENTADAS EN LA MISMA DIRECCION PARA QUE LOS CRISTALES EXHIBAN COMO UN GRUPO UNA DIRECCION CRISTALOGRAFICA COMUN QUE PUEDE SER SELECTIVAMENTE LA DIRECCION MAS DURA O LA QUE ES CASI LA MAS DURA, Y UN METODO DE FABRICACION DE UN ARTICULO. ESTA ORIENTACION SACA PARTIDO DE LAS PROPIEDADES DE DUREZA DE LOS CRISTALES INDIVIDUALES POR MEDIO DE IMPARTIR ESTAS PROPIEDADES AL MONTAJE. DE ESTA FORMA, VARIOS MODELOS DEL ARTICULO SON UTILES COMO UN ABRASIVO, UN PORTADOR, UN FOCO FRIO O UN SEMICONDUCTOR.
PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION DE TRIQUITAS O FILAMENTOS FIBROSOS LARGOS DE CARBURO DE SILICIO.
(16/08/1999). Solicitante/s: AEROSPATIALE SOCIETE NATIONALE INDUSTRIELLE VIAM ALL RUSSIAN INSTITUT OF AVIATION MATERIALS. Inventor/es: GRIBKOV, VLADIMIR NIKOLAEVICH, POLAKOV, ALEXANDRE, VASSILIEVICH, POKROVCKY, DANIEL, DANILOVICH, SILAEV, VLADIMIR, ALEXANDROVICH, GORELOV, YURII, ALEXEEVICH, LYACOTA, PIOTR, PHIODOROVICH.
LA PRODUCCION DE TRICHITAS O WHISKERS DE SIC Y DE MATES DE ESTOS SOBRE UN SUSTRATO POR TRATAMIENTO A 1.20 - 1.500 (GRADOS) C, DE UNA MEZCLA GASEOSA QUE COMPRENDE HIDROGENO Y FUENTES DE ATOMOS DE SI Y C QUE ESTAN EN FORMA DE AL MENOS UN COMPUESTO DESPROVISTO DE OXIGENO, EN PRESENCIA DE UN CATALIZADOR D TIPO METAL, POR UN PROCESO SEMICONTINUO O PERIODICO, SE CARACTERIZA EN QUE DURANTE EL PERIODO DE CRECIMIENTO, UN CATALIZADOR AL-FE SE INTRODUCE EN LA FASE GASEOSA EN LA ZONA DE REACCION, MEDIANTE UNA REDUCCION POR EL CARBONO DE CERAMICAS DE TIPO ALUMINOSILICATO QUE COMPRENDEN AL MENOS 73% EN PESO DE AL2O3 Y 0,3 A 3,0% EN PESO DE OXIDOS DE HIERRO Y EL SUSTRATO ES UN TEJIDO DE CARBONO A BASE DE FIBRA DE RAYON CARBONIZADO QUE HA SIDO PRETRATADO, ANTES DE LA CARBONIZACION, POR UNA SOLUCION DE BORAX Y UNA SOLUCION DE FOSFATO DE DIAMONIO HASTA QUE LAS CANTIDADES NO SOBREPASAN 4% Y 2% EN PESO RESPECTIVAMENTE. APLICACION EN LA FABRICACION DE TRICHITAS O WHISKERS LARGOS DE SIC.
PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE TRIQUITAS EN CARBURO DE SILICIO.
(16/06/1993) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE TRIQUITAS DE CARBURO DE SILICIO POR REACCION, EN ATMOSFERA NO OXIDANTE A UNA TEMPERATURA AL MENOS IGUAL A 1300 GRADOS C, DE UNA CARGA CONSTITUIDA POR UNA MEZCLA DE NEGRO DE CARBONO Y POR UNA FUENTE DE OXIDO DE SILICIO, PROCEDIMIENTO SEGUN EL CUAL EL NEGRO DE CARBONO TIENE UNA TASA DE OXIDABILIDAD (MEDIDA POR CALENTAMIENTO AL AIRE DURANTE 30 MINUTOS A 600 GRADOS C) AL MENOS IGUAL A 85%, LA FUENTE DE OXIDO DE SILICIO TIENE UNA GRANULOMETRIA INFERIOR A 100 NM Y LA VELOCIDAD DE SUBIDA EN TEMPERATURA ENTRE 1300 Y 1600 GRADOS C ES INFERIOR A 3 GRADOS C -1 POR MINUTO SI SE OPERA EN ATMOSFERA ESTATICA, Y AL MENOS IGUAL A 25 GRADOS C MIN SI SE OPERA BAJO PERCOLACION DE GAS. SE EFECTUA EVENTUALMENTE UN DESCANSO DE 5 MIN A 5 H A 1600 GRADOS C. PREFERENTEMENTE SE INTRODUCE EN CARBONO EN LA MEZCLA DE REACCION,…
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE CUERPOS FILIFORMES (WHISKERS).
(16/07/1975). Solicitante/s: LONZA S.A..
Resumen no disponible.
