CIP-2021 : H01L 21/336 : con puerta aislada.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/336 · · · · · · con puerta aislada.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación.
(03/06/2020) Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende:
- un sustrato semiconductor que tiene una región activa y una región de terminación;
- un canal de terminación ubicado en la región de terminación y que se extiende desde un límite de la región activa hacia un borde del sustrato semiconductor ;
- una puerta MOS formada en una pared lateral del canal de terminación adyacente a dicho límite ;
- una capa de óxido de estructura de terminación formada en el canal de terminación y que cubre parcialmente la puerta MOS ;
…
Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón.
(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~
una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende:
dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor ,
siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga;
estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…
Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica.
(12/11/2014) Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende:
formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes:
formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ;
formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ;
atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ;
eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y
atacar químicamente tres de dichas cuatro…
FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: TOTEM SEMICONDUCTOR LTD. Inventor/es: EVANS, JONATHAN LESLIE.
UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR LOGICO O CELDA DE MEMORIA. SE FORMA UN FOSO EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR USANDO UNA MASCARA . EL FOSO ESTA PARCIALMENTE RELLENO CON UN MATERIAL DE ELECTRODO Y SE DOPAN LAS PAREDES DEL FOSO CON LA MASCARA TODAVIA PUESTA.
DISPOSITIVOS CON IMPLANTACIONES EN EL CANAL DEL LADO DEL DRENADOR.
(16/07/1999) SE PREVE UN DISPOSITIVO MOS QUE TIENE UN IMPLANTE LATERAL DE FUENTE O DE DRENAJE DENTRO DE LA REGION DE CANAL CON EL FIN DE MINIMIZAR LOS EFECTOS DE CANAL CORTOS. LOS IMPLANTES DENTRO DE LA REGION DE CANAL SE REALIZA USANDO TECNICAS CONVENCIONALES DE TRATAMIENTO, DONDE EL IMPLANTE DE CANAL SE DIRIGE SUSTANCIALMENTE PERPENDICULAR A LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL SUSTRATO. NO SE REQUIEREN NUMEROSOS PASOS DE ENMASCARAMIENTO Y DE REORIENTACION DEL SUSTRATO. ADICIONALMENTE, LA MASCARA DE IMPLANTE LATERAL DE FUENTE O DE DRENAJE PUEDE FORMARSE A PARTIR DE MASCARAS YA EXISTENTES E INCORPORARSE DENTRO DE UN FLUJO DE TRATAMIENTO ESTANDAR PARA BIEN UN DISPOSITIVO MOS ESTANDAR O UNA RED DE MEMORIA QUE COMPRENDE UNA POLISILICIO DE DOBLE NIVEL. SI SE…
METODO DE FABRICACION DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR PARA CIRCUITOS INTEGRADOS.
(16/04/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, COCHRAN, WILLIAM THOMAS, KELLY, MICHAEL JAMES.
SE REVELA UN METODO DE FORMACION DE UN TRANSISTOR. LAS TECNICAS DE FABRICACION CONVENCIONAL DIRIGEN UN RAYO ION DE IMPRESION HACIA UN SUSTRATO , SOBRE EL CUAL UN GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS DE BARRERA HAN SIDO YA FORMADAS . SI EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS ESTA DEMASIADO BAJO EN RELACION CON LA ENERGIA DE RADIACION INCIDENTE, LAS ESPECIES DOPANTES PUEDEN SER CANALIZADAS A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, AFECTANDO ADVERSAMENTE AL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR. LA PRESENTE INVENCION PREVIENE DE LA CANALIZACION A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS MEDIANTE EL RECUBRIMIENTO DE LA BARRERA CON UNA CAPA PROTECTORA ANTES DE LA IMPRESION DEL ION. LA CAPA PROTECTORA ES UNA CAPA DE OXIDO, LA CUAL ESTA FORMADA TANTO EN EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, DONDE ES MAS ESPESA, COMO EN EL SUSTRATO.
PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA EN CIRCUITOS DE CONTACTO.
(16/01/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, YU, CHEN-HUA DOUGLAS.
UN CONTACTO AUTOALINEADO AL SUSTRATO (EJ. 1) QUE SE ENCUENTRA EN LA REGION QUE HAY ENTRE DOS ELECTRODOS DE COMPUERTA (EJ. 3) SE FORMA A BASE DE DEPOSITAR UNA CAPA DIELECTRICA CONFORME (EJ. 13) Y DARLE FORMA PARA FORMAR UNA VENTANA DE CONTACTO (EJ. 17). LOS ELEMENTOS CONDUCTORES DEL ELECTRODO DE COMPUERTA (EJ. 3) NO ENTRAN EN CONTACTO DEBIDO A LA DIFERENCIA EN LAS VELOCIDADES DE ATAQUE ENTRE LOS ELEMENTOS DIELECTRICOS CONFORMES (EJ. 13) Y LOS ELEMENTOS AISLANTES (EJ. 11) DE LA ESTRUCTURA DE COMPUERTA (EJ. 3).
CONTACTO DE PUERTA DE POLISILICIO AUTO-ALINEADO.
(01/10/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, SUNG, JANMYE.
SE ABRE UN CONTACTO DE PUERTA (EJ. 19) RESPECTO A UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SOBRE LA FUENTE/ZONA DE DRENAJE (EJ. 21) FORMANDO CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15) ENTRE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5), QUE TIENE UNA CAPA SUPERIOR DE NITRURO (EJ. 11), Y LAS ZONAS DE OXIDO DEL CAMPO (EJ. 3). SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) POR OXIDACION Y MORDENTADO DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) Y LAS CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15). SE PUEDE DEPOSITAR UNA CAPA DE OXIDO (EJ. 31) ANTES DEL MORDENTADO. EL ULTIMO PASO ABRE UN CONTACTO DE PUERTA, PERO NO EXPONE EL SILICIO EN LA CLAVIJA (EJ. 15) A CAUSA DE LAS DISTINTAS VELOCIDADES DE OXIDACION DE LA CLAVIJA DE POLISILICIO (EJ. 15), Y EL MATERIAL (EJ. 11) DE LA PARTE SUPERIOR DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) CREA CAPAS DE OXIDO QUE TIENEN DISTINTOS ESPESORES. AHORA SE EXTRAE EL NITRURO Y SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) RESPECTO A LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5).
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS QUE USAN TECNOLOGIA DE SEPARADOR LATERAL.
(16/05/1997). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, CHEN, MIN-LIANG, KOOK, TAEHO, POWELL, RICHARD ALLYN, KUMAR ROY, PRADIP.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS QUE USAN TECNOLOGIA DE SEPARADOR LATERAL. LA PLACA BASE DE SEPARADORES DE ALTA CALIDAD, TALES COMO AQUELLOS QUE SE USAN SOBRE LOS LATERALES DE LA CADENA DE AISLADORES DE COMPUERTA DE DISPOSITIVOS SUBMICRONALES (POR EJEMPLO MOSFETS, EPROMS) SE FORMAN COMO ESTRUCTURAS MULTICAPA COMPUESTAS DE OXIDOS DE SILICIO O DE OXIDOS DE SILICIO Y NITRURO DE SILICIO.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO CON ESPACIADOR DE PUERTA.
(01/10/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, SUNG, JANMYE, LU, CHIH-YUAN.
SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO SEMICONDUCTOR Y UN METODO DE FABRICACION. LA ESTRUCTURA INCLUYE UNA PUERTA FET (POR EJEMPLO, 18) CON ESPACIADORES DE PUERTA DE DOBLE O TRIPLE CAPA ADYACENTES (POR EJEMPLO, 21,23,19). LOS ESPACIADORES PERMITEN EL CORTE PRECISO DE LOS PERFILES DE UNION DE CANALES LIGERAMENTE BARNIZADOS QUE TIENEN PORCIONES DE UNION PROFUNDAS Y SUPERFICIALES. ADE,AS, PUEDE FORMARSE UN SILICIDO AUTO-ALINEADO (POR EJEMPLO, 51) SOLAMENTE SOBRE LA PORCION DE UNION PROFUNDA PRODUCIENDO ASI UNA CONEXION DE RESISTENCIA DE BAJO CONTACTO SEGURA PARA FUENTE Y CANAL.
FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO, QUE INCLUYE UN METODO DE BAJA TEMPERATURA PARA ELABORAR ESTRUCTURAS DE SILICIURO.
(16/05/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, LEUNG, CHUNG WAI, MARTIN, EDWARD P., JR.
EN UN METODO DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO DE SEMICONDUCTOR, USO DE BORO Y FOSFORO CON ADITIVO TEOS (POR EJEMPLO, BPTEOS) DEBIDO A QUE UN PRIMER NIVEL DIELECTRICO PERMITE QUE EL DIELECTRICO CIRCULE A UNA TEMPERATURA MAXIMA DE 800 (POR) C. EN CONSECUENCIA, LA FUENTE TISI2 Y LOS CONTACTOS DE CONSUMO SE UTILICEN EN UN TRANSITOR DE EFECTO DE CAMPO SIN SUFRIR NUCLEACION Y AUMENTO DANDO POR RESULTADO AUMENTO DE TAMAÑO DEL GRANO, ASI RESISTENCIA AUMENTADA. UNA CAPA DE TEOS SE PUEDE DEPOSITAR ANTES QUE LA CAPA DE BPTEOS PARA IMPEDIR QUE LAS ESQUINAS VIVAS EN LA VALVULA DE COMPUERTA OCASIONEN POCA CONSISTENCIA Y POSIBLE ROTURA DE LA CAPA BPTEOS.
