CIP-2021 : H01L 27/085 : comprendiendo únicamente componentes de efecto de campo.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
H01L 27/085 · · · · comprendiendo únicamente componentes de efecto de campo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo de transistor bipolar de compuerta aislada que comprende un transistor de efecto de campo de compuerta aislado conectado en serie con un transistor de efecto de campo de ensamblaje que tiene un contacto de drenaje modificado.
(13/12/2017) Un dispositivo transistor bipolar de puerta aislada en el que se conecta un primer transistor de efecto de campo de puerta aislada en serie con un segundo transistor de efecto de campo, FET, ,
en el que el segundo transistor de efecto de campo es un transistor de efecto de campo de unión JFET, y tiene una región de contacto de drenaje modificado que está comprendido puramente de una primera área de contacto de tipo conductividad, el primer tipo de conductividad es opuesto a un segundo tipo de conductividad de una bolsa que rodea la región de contacto de drenaje modificada,
en el que el transistor de efecto de campo de unión tiene una región (16A) de contacto de fuente…
Dispositivo para la detección de bordes y mejora de calidad en una imagen.
(05/12/2013) Dispositivo para la detección de bordes y mejora de calidad en una imagen que comprende una agrupación de celdas elementales de procesamiento idénticas e interconectadas localmente. Cada celda de procesamiento se caracteriza a su vez por un comparador que lleva a cabo en paralelo la comparación de cada par de pixeles vecinos. La tensión umbral que establece la diferencia de tensión entre pixeles considerados parte de un borde se determina mediante un ajuste temporal de una señal de control. Este ajuste, junto con el de la señal de control de filtrado, también de carácter temporal, son los únicos necesarios para configurar el procesamiento deseado. No se requieren señales analógicas externas de control…
DISPOSITIVO PARA LA DETECCIÓN DE BORDES Y MEJORA DE CALIDAD EN UNA IMAGEN.
(07/11/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE SEVILLA. Inventor/es: CARMONA GALÁN,Ricardo, FERNÁNDEZ BERNI,Jorge, RODRÍGEZ VÁZQUEZ,Ángel.
Dispositivo para la detección de bordes y mejora de calidad en una imagen que comprende una agrupación de celdas elementales de procesamiento idénticas e interconectadas localmente. Cada celda de procesamiento se caracteriza a su vez por un comparador que lleva a cabo en paralelo la comparación de cada par de pixeles vecinos. La tensión umbral que establece la diferencia de tensión entre pixeles considerados parte de un borde se determina mediante un ajuste temporal de una señal de control. Este ajuste, junto con el de la señal de control de filtrado, también de carácter temporal, son los únicos necesarios para configurar el procesamiento deseado. No se requieren señales analógicas externas de control por lo que se facilita la programación del hardware por el dispositivo que se utilice y se reduce el número de convertidores digital/analógico del sistema final.
