CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 31/00 › H01L 31/032[4] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/032 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
(01/06/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: DAMIAN ALVAREZ,JUAN JOSE. Inventor/es: DAMIAN ALVAREZ,JUAN JOSE.
Célula solar perfeccionada compuesta por una capa o malla superior de naturaleza conductora, una capa o malla inferior también de naturaleza conductora y una serie de capas intermedias semiconductoras compuestas de una mezcla de Silicio, Mercurio y Nitrato de Plata.
(01/05/2000) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA LA ELABORACION DE CELULA SOLAR DE BANDA CIS. EL OBJETIVO DE LA PRESENTE INVENCION ES DESCRIBIR UNA SOLUCION DE PRODUCCION Y LA CONSTRUCCION NECESARIA DE RECUBRIMIENTO REQUERIDO PARA LA ELABORACION ECONOMICA DE CELULAS SOLARES CIS CON ADHERENCIA ASEGURADA A LAS BANDAS DE COBRE. ESTE OBJETIVO SE CONSIGUE DE ACUERDO CON LA INVENCION COMO SIGUE: EN UNA PRIMERA ETAPA, LA BANDA DE COBRE PREVIAMENTE LIMPIA ES RECUBIERTA GALVANICAMENTE DE FORMA CONTINUA SOBRE UNA CARA CON INDIO; EN UNA SEGUNDA ETAPA LA BANDA DE COBRE RECUBIERTA CON INDIO ES CALENTADA MUY RAPIDAMENTE EN UN PROCESO DE CONTACTO CON UN CUERPO DE GRAFITO CALENTADO Y PUESTA EN CONTACTO SOBRE UNA CARA CON UNA RANURA PEQUEÑA GAS SOPORTE CONTENIENDO AZUFRE O SELENIO CALENTADO; EN UNA TERCERA ETAPA, EL RECUBRIMIENTO SUPERFICIAL DE SULFURO…
(01/08/1983). Solicitante/s: THE BOEING COMPANY.
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA FORMAR UN TRANSDUCTOR FOTOVOLTAICO DE ENEGIA LUMINICA EN ELECTRICA. EL TRANSDUCTOR COMPRENDE UN SUBSTRATO ; UN PRIMER CONTACTO DEPOSITADO SOBRE EL SUBSTRATO ; UNA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA FORMADA POR MATERIAL, ELEGIDO ENTRE UN MATERIAL TERNARIO DE TIPO ~AP~B O ~AN~B O ENTRE UN MATERIAL DE TIPO ~AN~B O ~AP~B, QUE ES DEPOSITADO SOBRE EL PRIMER CONTACTO ; UNA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA FORMADA POR UN MATERIAL, ELEGIDO ENTRE UN MATERIAL DE TIPO ~AN~B O ~AP~B O ENTRE UN MATERIAL TERNARIO DE TIPO ~AP~B O ~AN~B, QUE ES DEPOSITADO SOBRE LA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA ; Y UN SEGUNDO CONTACTO DEPOSITADO SOBRE LA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA . LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS SEMICONDUCTORAS SE FORMAN POR EVAPORACION ELEMENTAL SIMULTANEA DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR Y CREAN ENTRE ELLAS UNA HETEROUNION DE PELICULA DELGADA.
