CIP-2021 : H01L 31/028 : comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas,
únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 31/00 › H01L 31/028[4] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/028 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Sistema de unidades nanoestructuradas agrupadas que forman un metamaterial dentro del silicio y el proceso de fabricación para formarlas y disponerlas en el mismo.
(08/07/2020) Método para formar unidades elementales a escala nanométrica dentro de un convertidor de luz en electricidad íntegramente de silicio, caracterizado por la siguiente sucesión de etapas en el efecto de formarlas y conformarlas, mediante las cuales se realiza una irradiación iónica en varias fases:
a) un perfil de dopaje inicial de tipo n mediante la denominada difusión térmica a baja temperatura a T < 1000 °C o mediante la implantación de dopaje en la oblea homogénea, con dopaje de tipo p ligero o moderado
b) preacondicionamiento de la superficie de la oblea después del proceso de difusión
c) proporcionar una irradiación con haz de iones de 50 - 200 keV que conduzca a una amorfización enterrada mediante una autoimplantación de Si o mediante la implantación de P,
d) constitución de heterointerfaces…
Dispositivo fotovoltaico.
(03/06/2020) Un material semiconductor que comprende:
una capa de material semiconductor del Grupo IV , no siendo el material silicio,
una capa de material semiconductor del Grupo III-V formado por al menos un tipo de átomos del Grupo III y al menos un tipo de átomos del Grupo V, y que tiene una interfaz con la capa semiconductora del Grupo IV, estando la capa de material semiconductor del grupo IV con coincidencia reticular con la capa de material semiconductor del Grupo III-V;
una capa de silicio en la interfaz entre la capa semiconductora III-V y la capa semiconductora del Grupo IV, o bien en la capa semiconductora del Grupo IV o en la capa semiconductora III-V, espaciada de la interfaz para controlar la difusión de los átomos del Grupo V en la capa semiconductora del Grupo IV,
una…
Fotodiodo de avalancha con acomplamiento de guía de ondas y método de fabricación del mismo.
(21/05/2019) Un fotodiodo de avalancha, que comprende:
un sustrato aislante de germanio, GeOI, en donde:
una capa de absorción de germanio-intrínseco, I-Ge, se dispone sobre el sustrato GeOI para la absorción de una señal óptica y la generación de portadoras foto-generadas;
una segunda capa de silicio-germanio tipo-p, SiGe, se dispone sobre la capa de absorción de I-Ge , y una primera capa de SiGe tipo-p se dispone sobre la segunda capa de SiGe tipo-p , en donde un contenido de germanio, Ge, en la primera capa de SiGe tipo-p y en la segunda capa de SiGe tipo-p es inferior o igual al 20%;
una primera capa de dióxido de silicio, SiO2 se dispone adicionalmente sobre el sustrato…
Pasta para una película gruesa, conductora para contactos de células solares.
(13/03/2019) Una composición para una pasta electroconductora que comprende lo siguiente:
partículas metálicas;
un sistema de reacción inorgánico y
un vehículo orgánico;
en la que el sistema de reacción inorgánico para la composición para una pasta electroconductora comprende una composición formadora de una matriz que contiene plomo y un aditivo de óxido de telurio, en donde la composición que contiene plomo representa entre el 5 y 95% en peso del sistema de reacción inorgánico, y el aditivo de óxido de telurio representa entre el 5 y el 95% en peso del sistema de reacción inorgánico;
en donde se deniega la siguiente pasta:
una pasta que comprende lo siguiente:
85% en peso (basado en la pasta) de partículas de plata;
un sistema de reacción inorgánico que comprende 3,1% en peso (basado en la pasta) de una frita…
Procedimiento para la producción de silicio policristalino.
(30/05/2018). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PECH,REINER, KERSCHER,MICHAEL, SANDNER,ARMIN.
Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende precipitación de silicio policristalino en cuerpos soporte que se encuentran en al menos un reactor, mediante lo cual se obtienen varas de silicio policristalinas, desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, caracterizado por que, tras el desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, y antes del desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, el silicio policristalino presente en forma de vara se clasifica en al menos dos clases de calidad por medio de al menos una característica, alimentándose éstas clases de calidad, al menos dos, a pasos de desmenuzado separados.
PDF original: ES-2677489_T3.pdf
Célula solar de germanio y método de producción de la misma.
(07/03/2018). Solicitante/s: IMEC VZW. Inventor/es: POORTMANS,JEF, POSTHUMA,NIELS, FLAMAND,GIOVANNI.
Método para la pasivación y el contacto de una superficie de un sustrato de germanio, que comprende las etapas de;
- proporcionar dicho sustrato de germanio con una primera superficie;
- producir una capa de pasivación de silicio amorfo hidrogenado intrínseco en dicha primera superficie;
- producir una capa de contacto de metal sobre dicha capa de pasivación;
- aplicar una etapa de difusión, en donde dicha etapa de difusión se lleva a cabo a una temperatura entre 150 °C y 300 °C y el tiempo de difusión está entre 5 y 60 minutos, de manera que dicha superficie de germanio se pone en contacto con dicha capa de contacto, a través de dicha capa de pasivación.
PDF original: ES-2670168_T3.pdf
Procedimiento para la purificación de un sustrato de silicio cristalino y procedimiento para la fabricación de una célula fotovoltaica.
(07/12/2016). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Inventor/es: DUBOIS,Sébastien, ENJALBERT,NICHOLAS, MONNA,RÉMI.
Procedimiento para la purificación de un sustrato de silicio cristalino del tipo que comprende una etapa de extracción de las impurezas por efecto getter externo, caracterizado porque comprende, antes de dicha etapa de extracción de las impurezas por efecto getter externo, al menos una etapa de calentamiento del sustrato a una temperatura comprendida entre 750ºC y 1000ºC inclusives durante un período comprendido entre 1 segundo y 10 minutos inclusives, seguida por una etapa de enfriamiento del sustrato hasta la temperatura ambiente.
PDF original: ES-2618033_T3.pdf
GRAFENO COVALENTEMENTE MODIFICADO.
(11/08/2016). Solicitante/s: FUNDACIÓN IMDEA NANOCIENCIA. Inventor/es: BLACK MOROCOIMA,Andrés, CALLEJA MITJÁ,Fabián, LERET GARCÍA,Sofía, NAVARRO OCAÑA,Juan Jesús, STRADI,Daniele, BERNARDO GAVITO,Ramón, GARNICA ALONSO,Manuela, GRANADOS RUIZ,Daniel, LÓPEZ VÁZQUEZ DE PARGA,Amadeo, PÉREZ ÁLVAREZ,Emilio, MIRANDA SORIANO,Rodolfo.
La presente invención está dirigida a un sistema en el que las propiedades electrónicas del grafeno pueden ser modificadas de forma controlada. En dicho sistema, el grafeno es químicamente funcionalizado con moléculas alquílicas que se unen covalentemente a los átomos de carbonos del grafeno. El grado de recubrimiento de la capa del grafeno de la presente invención permite regular la apertura de la banda de energía prohibida en el diagrama de bandas de energía del grafeno.
Grafeno covalentemente modificado.
(03/08/2016). Solicitante/s: FUNDACIÓN IMDEA NANOCIENCIA. Inventor/es: BLACK MOROCOIMA,Andrés, CALLEJA MITJÁ,Fabián, LERET GARCÍA,Sofía, NAVARRO OCAÑA,Juan Jesús, STRADI,Daniele, BERNARDO GAVITO,Ramón, GARNICA ALONSO,Manuela, GRANADOS RUIZ,Daniel, LÓPEZ VÁZQUEZ DE PARGA,Amadeo, PÉREZ ÁLVAREZ,Emilio, MIRANDA SORIANO,Rodolfo.
Grafeno covalentemente modificaco.
La presente invención está dirigida a un sistema en el que las propiedades electrónicas del grafeno pueden ser modificadas de forma controlada. En dicho sistema, el grafeno es químicamente funcionalizado con moléculas alquílicas que se unen covalentemente a los átomos de carbonos del grafeno. El grado de recubrimiento de la capa del grafeno de la presente invención permite regular la apertura de la banda de energía prohibida en el diagrama de bandas de energía del grafeno.
PDF original: ES-2578997_B2.pdf
PDF original: ES-2578997_A1.pdf
ESTRUCTURA ANTIREFLEJANTE CUASI-OMNIDIRECCIONAL BASADA EN MULTICAPAS DIELÉCTRICAS DE SILICIO POROSO PARA LA REGIÓN ULTRAVIOLETA MEDIA, VISIBLE E INFRARROJA CERCANA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO.
(20/11/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS. Inventor/es: AGARWAL,Vivechana, ARIZA FLORES,Augusto David, PEREZ HUERTA,José Samuel, KUMAR,Yogesh.
Estructura antireflejante basada en multicapas de silicio poroso apiladas en forma unidimensional. Esta capa tiene la capacidad de reflejar menos del 4% de la luz incidente en cualquier ángulo, es decir esta propiedad no depende de la posición en la cual se le oriente. Ello se cumple para un rango de longitudes de onda que van desde 200 nm a 2000 nm y tan sólo con un espesor físico total de 510 nm. La estructura consta de 51 capas con porosidades graduales que van del 92 al 38 %. La longitud de cada capa es constante e igual a 10 nm y el perfil del índice de refracción varía por medio de una función envolvente que crece monótonamente de la forma f(z)=n 0 +(n F -n 0 )(z/L) k, con z la profundidad de la capa. El dispositivo se fabricó con el método de anodizado electroquímico en una solución electrolítica de ácido fluorhídrico y etanol, atacando obleas de silicio de forma galvanostatíca en una interfaz controlada.
Método para producir una célula solar de silicio con un emisor decapado por grabado así como una célula solar correspondiente.
(25/06/2014) Un método para producir una célula solar de silicio con un emisor selectivo, según la reivindicación 12, donde el método comprende, en el siguiente orden:
producir un emisor que se extiende en dos dimensiones en una superficie del emisor de un sustrato de célula solar ;
aplicar una barrera contra el grabado sobre las primeras zonas parciales de la superficie del emisor;
grabar la superficie del emisor en las segundas zonas parciales de la superficie del emisor no cubierta por la barrera contra el grabado ;
retirar la barrera contra el grabado ; y
producir contactos metálicos en las primeras zonas parciales…
