CIP-2021 : H01L 29/06 : caracterizados por su forma; caracterizado por las formas,
las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/06 · · caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación.
(03/06/2020) Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende:
- un sustrato semiconductor que tiene una región activa y una región de terminación;
- un canal de terminación ubicado en la región de terminación y que se extiende desde un límite de la región activa hacia un borde del sustrato semiconductor ;
- una puerta MOS formada en una pared lateral del canal de terminación adyacente a dicho límite ;
- una capa de óxido de estructura de terminación formada en el canal de terminación y que cubre parcialmente la puerta MOS ;
…
Método para fabricar un JFET de triple implante.
(08/04/2020). Solicitante/s: United Silicon Carbide Inc. Inventor/es: BHALLA,ANUP, LI,ZHONGDA.
Un método para crear un JFET (o 'transistor de efecto de campo de unión o juntura'), que comprende:
a. aplicar una primera máscara a una lámina u oblea para formar una primera capa de enmascaramiento dura y estampada en la parte superior de la oblea, de manera que la oblea comprende una región de deriva superior y una región de drenaje inferior ;
b. aplicar tres implantes a la porción 'no enmascarada' de la parte superior de la oblea para formar una región de la compuerta inferior (605b), una región del canal horizontal y una región de la compuerta superior (605a) en la parte o porción superior de la región de deriva ;
c. formar una región de la fuente en una parte o porción de la región de la compuerta superior;
d. conectar las regiones de la compuerta superior y la compuerta inferior (605a, 605b).
PDF original: ES-2794629_T3.pdf
Epitaxia de nanocables sobre un sustrato grafítico.
(05/02/2020). Solicitante/s: Norwegian University of Science and Technology (NTNU). Inventor/es: WEMAN,HELGE, FIMLAND,BJØRN-OVE, KIM,DONG CHUL.
Una composición de materia que comprende al menos un nanocable sobre un sustrato grafítico, dicho al menos un nanocable habiendo crecido epitaxialmente sobre dicho sustrato,
en donde dicho nanocable comprende al menos un compuesto del grupo III-V donde el elemento del grupo III es al menos uno de Al, Ga o In y el elemento del grupo V es al menos uno de N, P, As y Sb;
en donde dicho nanocable tiene una falta de coincidencia reticular de hasta el 10 % con el sustrato grafítico,
y en donde el sustrato grafítico comprende grafeno, grafano, u óxido de grafeno.
PDF original: ES-2777951_T3.pdf
Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación.
(07/05/2019) Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo:
una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas activas ;
una primera parte del área activa compuesta por celdas (K) conforme con los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados determinan las dimensiones físicas de cada celda (K) de la primera parte del área activa , y donde la primera parte constituye la parte central del área activa ;
una segunda parte del área activa compuesta por celdas (M) conforme con los segundos parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los segundos parámetros de diseño…
Estructura de protección para el aislamiento de señal y procedimiento para su fabricación.
(01/05/2019) Un procedimiento de fabricación de una estructura de protección eléctrica para proporcionar el aislamiento de señal que comprende las etapas de:
proporcionar un sustrato que tiene una superficie de montaje que comprende un primer área para alojar al menos un componente electrónico; e implementar la estructura de protección eléctrica, incluyendo la estructura de protección eléctrica uno o más proyecciones eléctricamente conductoras sobre el sustrato, la una o más proyecciones eléctricamente conductoras que se extienden en forma transversal a la superficie de montaje del sustrato; la una o más proyecciones eléctricamente conductoras incluyen una o más estructuras tipo pared;
la una o más estructuras tipo pared son alargadas paralelas a la superficie de montaje; en el que:
la una o más proyecciones eléctricamente…
DISPOSITIVO DE TRANSMISIÓN Y PROCESAMIENTO DE INFORMACIÓN MEDIANTE ONDAS DE ESPÍN DE BORDE.
(18/09/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID. Inventor/es: ALIEV KAZANSKI,Farkhad, LARA CALA,Antonio.
Dispositivo de transmisión y procesamiento de información mediante ondas de espín de borde, caracterizado porque el dispositivo comprende una estructura magnética triangular de reducido amortiguamiento magnético en estado saturado, y al menos un generador de campo electromagnético (8; 18a, 18b; 28) configurado para generar una propagación de ondas de espín de borde (3; 13a, 13b; 23a, 23b) en el dispositivo mediante excitación con campo electromagnético local. El dispositivo puede trabajar con dos modos de funcionamiento: aplicando un campo magnético externo o bien un campo de canje externo al dispositivo, de forma que el campo electromagnético local aplicado es paralelo al campo magnético o de canje externo.
PDF original: ES-2682046_R1.pdf
PDF original: ES-2682046_A2.pdf
Fotoconversión de luz usando clústeres cuánticos atómicos soportados sobre metal.
(27/09/2017). Solicitante/s: UNIVERSIDADE DE SANTIAGO DE COMPOSTELA. Inventor/es: RIVAS REY,JOSE, LOPEZ QUINTELA, MANUEL ARTURO.
Uso de una nanopartícula metálica que tiene al menos una de sus dimensiones entre 1 nm y 60 μm que comprende al menos un semiconductor unido a la misma, en el que el al menos un semiconductor es un clúster cuántico atómico (AQC) que consiste en entre 2 y 55 átomos de metal de transición de valencia cero, en el que los átomos de metal de transición de valencia cero de los AQC se seleccionan de Ag, Au, Pt, Pd, Co, Cu, Fe, Cr, Ni, Rh y combinaciones de los mismos, y en el que el AQC y la nanopartícula metálica tienen niveles de Fermi que tienen una diferencia menor o igual a 1,5 eV en cero absoluto, como fotocatalizador en procedimientos fotocatalíticos.
PDF original: ES-2647879_T3.pdf
Diodos emisores de luz basados en nitruro de galio altamente eficientes por medio de una superficie convertida en rugosa.
(16/11/2016) Un diodo emisor de luz de (Al, Ga, In)N compuesto de:
al menos una capa de tipo n , una capa de emision y una 5 capa de tipo p ;
en el que la luz desde la capa de emision se extrae a traves de una superficie de cara de nitrogeno,
denominada en lo que sigue "superficie de cara N", del diodo emisor de luz y la superficie de cara N del diodo emisor de luz esta compuesta de una rugosidad superficial con forma de cono que incrementa la eficiencia de extraccion de la luz desde la capa de emision fuera de la superficie de cara N del diodo emisor de luz; y en el que las formas de cono de la rugosidad superficial de la superficie de cara N tienen un tamano proximo…
Chip microelectrónico desnudo provisto de una ranura que forma un alojamiento para un elemento filar que constituye un soporte mecánico flexible, procedimiento de fabricación y microestructura.
(22/04/2015) Chip microelectrónico que incluye un elemento filar eléctricamente conductor , dos caras principales paralelas delantera y trasera , caras laterales y un rebaje que forma un alojamiento para el elemento filar eléctricamente conductor , siendo el rebaje una ranura colocada en una de las caras principales o laterales, teniendo la ranura un eje paralelo a las caras principales para una fijación por encastre del elemento filar eléctricamente conductor en dicha ranura, estando el chip el provisto de al menos un elemento de conexión eléctrica destinado a conectar un componente microelectrónico integrado en el chip con el elemento filar, estando el elemento de conexión eléctrica, en el caso de una ranura colocada en una cara lateral, al menos en parte constituido por una capa eléctricamente conductora que reviste al menos en parte dicha ranura;…
Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón.
(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~
una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende:
dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor ,
siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga;
estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…
Método para fabricar un nanohilo monocristalino.
(23/10/2013) Método para fabricar una nanoestructura monocristalina que comprende las etapas de:
a) proporcionar una capa de dispositivo con una orientación 100 sobre un sustrato;
b) proporcionar una capa de tensión sobre la capa de dispositivo;
c) formar patrones en la capa de tensión a lo largo de la dirección 110 de la capa dedispositivo;
d) retirar selectivamente partes de la capa de tensión para obtener partes expuestas de lacapa de dispositivo;
e) someter a ataque químico dependiente del plano las partes expuestas de la capa dedispositivo para obtener unas caras 111 expuestas de la capa de dispositivo ;
f) oxidar térmicamente la cara 111 expuesta de la capa de dispositivo y formar una capa deoxidación lateral…
SISTEMA DE ALMACENAMIENTO, RECUPERACION Y DISTRIBUCION DE DATOS DE MULTIPLES USUARIOS, QUE UTILIZA UN ALMACENAMIENTO DISTRIBUIDO DE DATOS DEUN FLUJO CONTINUO DE DATOS.
(16/10/2005) UN SISTEMA DE ALMACENAMIENTO, RECUPERACION Y DISTRIBUCION DE DATOS DE USUARIO MULTIPLE QUE CONTIENE UN SISTEMA DE ORDENADOR DE PROCESAMIENTO PARALELO QUE FORMA UN SERVIDOR DE INFORMACION DIGITAL . EL SERVIDOR CONTIENE UNA PLURALIDAD DE PROCESADORES PARALELOS (216N,218N,220N,222N) CADA UNO CONECTADO A UN DISPOSITIVO DE ALMACENAMIENTO DE INFORMACION (224N,226N,228N). LOS DATOS DE USUARIO SON ALMACENADOS DE FORMA DISTRIBUIDA ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE ALMACENAJE (224N,226N,228N). EL SISTEMA DE DISTRIBUCION ASIGNA DINAMICAMENTE LOS USUARIOS AL SISTEMA BASADO EN EL MODO DE OPERACION SOLICITADO POR EL USUARIO. DURANTE LOS PERIODOS DE SERVICIO DE USUARIO SUCESIVOS, TODOS LOS USUARIOS LE SON SUMINISTRADOS SUS DATOS SOLICITADOS. EL…
TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION QUE UTILIZA ELECTRODOS DE ZONA TERMINAL DE CONEXION DE TERMINACION DE CAMPO.
(01/06/2001). Solicitante/s: RAYTHEON COMPANY. Inventor/es: HOOPER, WILLIAM W., CASE, MICHAEL G., NGUYEN, CHANH N.
UN TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION (10'') Y UN METODO DE FABRICACION SE REVELA QUE COMPRENDE UN ELECTRODO DE BLINDAJE (O ELECTRODO DE TERMINACION DE CAMPO) LOCALIZADO ENTRE LOS ATENUADORES DE ADHERENCIA Y EL MATERIAL SEMICONDUCTOR SBYACENTE. EL ELECTRODO DE BLINDAJE ESTA INSERTADO ENTRE DOS CAPAS DIELECTRICAS AISLANTES . LA ALTA TENSION APLICADA AL ATENUADOR DE ADHERENCIA ESTABLECE UN CAMPO ELECTRICO ENTRE EL ATENUADOR DE ADHERENCIA Y EL ELECTRODO DE BLINDAJE , QUE PREVIENE LA PENETRACION DE CAMPO E INVERSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR SUBYACENTE. USANDO ESTA ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA, UNA CORRIENTE DE FUGA BAJA Y UNA TENSION DE RUPTURA ALTA SE MANTIENE EN EL TRANSISTOR (10''). LA PRESENTE ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA SUMINISTRA UNA TERMINACION DE CAMPO EFECTIVA INFERIOR AL ATENUADOR DE ADHERENCIA , Y SU DISEÑO DE SOLAPAMIENTO, SUMINISTRA PARA UN TRANSISTOR MAS COMPACTO (10").
UNION P-N NEUTRALIZADA EN SEMICONDUCTOR DE MESETA.
(16/09/1998) PROCESO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMIENZA DIFUNDIENDO UNA CAPA N, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE ALTA, EN UNA PLAQUITA P, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE BAJA. A CONTINUACION, LA PLAQUITA SE ATACA QUIMICAMENTE PARA OBTENER VARIOS SEMICONDUCTORES DE MESETA, CADA UNA DE LAS CUALES TIENE UNA UNION P-N QUE INTERSECTA UNA PARED LATERAL DE LA ESTRUCTURA DE MESETA. ENTONCES, SE DESARROLLA UNA CAPA DE OXIDO EN LAS PAREDES LATERALES DE LAS MESETAS, NEUTRALIZANDO DICHA CAPA DE OXIDO EL DISPOSITIVO. LA FASE DE OXIDACION HACE QUE LA UNION P-N SE CURVE HACIA LA CAPA P PROXIMA A LA APA DE OXIDO. TRAS ESTO, LA UNION P-N SE DIFUNDE MAS PROFUNDAMENTE EN LA LACA P, CON UN FRENTE DE DIFUSION QUE TIENDE A CURVAR LA UNION…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/04/1997) SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO AISLANTE METALICO (MISFET) , CONSTRUIDO COMO UNA HETEROESTRUCTURA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DE APERTURA DE BANDA ESTRECHA IN1-XALXSB.EL MISFET ESTA FORMADO POR CUATRO CAPAS SEMICONDUCTORAS (112 A 118) SITUADAS EN SERIE COMO SIGUE: UNA PRIMERA CAPA TIPO-P FUERTEMENTE BARNIZADA , UNA SEGUNDA CAPA TIPO-P DE APERTURA DE BANDA RELATIVAMENTE AMPLIA FUERTEMENTE BARNIZADA , UNA TERCERA CAPA TIPO-P LIGERAMENTE BARNIZADA , Y UNA CUARTA CAPA TIPO-N FUERTEMENTE BARNIZADA .EN LA CUARTA CAPA SE SITUAN UNA FUENTE Y UN CONDUCTO ; EN LA TERCERA CAPA SE SITUA UNA APERTURA (116/205); ENTRE LAS CAPAS TERCERA Y CUARTA SE INCLUYE UNA…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE TIENE UN SURCO AISLANTE Y METODO DE FABRICACION DEL MISMO.
(16/07/1996). Solicitante/s: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: TOKUNOH, FUTOSHI.
UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA COMPRENDE UNA REGION TIRISTORA PUERTA DE GIRO HACIA AFUERA (GR) Y UNA REGION DIODO (DR) CON UN AREA DE AISLAMIENTO (SR) ENTRE ELLAS. EL AREA DE AISLAMIENTO SE PROVEE CON UN SURCO MULTI-ESTADO O DE VARIAS ETAPAS QUE TIENE ESTRUCTURAS DE PASOS . EL SURCO MULTI-ESTADO SE FORMA A TRAVES DE UN PROCESO DE ATAQUE QUIMICO O MORDENTADO EN DOS ETAPAS, Y LAS REGIONES SOBRE-GRABADAS EN LOS ANGULOS DE LA PARTE INFERIOR DEL SURCO MULTI-ESTADO SON RELATIVAMENTE POCO PROFUNDAS. ESTA ESTRUCTURA ES EFECTIVA PARA INCREMENTAR EL VOLTAJE DE RUPTURA O TENSION DISRUPTIVA DE LA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA Y LAS AISLACIONES ENTRE LA REGION TIRISTORA DE PUERTA DE GIRO HACIA AFUERA Y LA REGION DIODO.
DISPOSITIVO DE PROTECCION SCR DE BAJO VOLTAJE DE DISPARO Y ESTRUCTURA.
(16/12/1995). Solicitante/s: DAVID SARNOFF RESEARCH CENTER, INC. SHARP CORPORATION. Inventor/es: AVERY, LESLIE, RONALD.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO PARA PROTEGER UN CIRCUITO INTEGRADO DE LA ENERGIA TRANSITORIA. EL DISPOSITIVO PROPORCIONA UNA SCR PROVISTA DE UNA TENSION DE DISPARO REDUCIDA.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
(01/02/1995). Solicitante/s: MOTOROLA SEMICONDUCTEURS S.A. Inventor/es: JAUME, DENIS, CHARITAT, GEORGES, PEYRE LAVIGNE, ANDRE.
ESTE INVENTO SE REFIERE A UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION QUE COMPRENDE: UN SUBSTRATO 44; UNA ZONA EPITAXIAL 46 SOBRE DICHO SUBSTRATO QUE INCLUYE UNA ZONA DE ELECTRODOS DOPADA, 48 Y UNA ZONA DE AISLAMIENTO DOPADA, 50, ESTANDO SEPARADAS DICHA ZONA DE ELECTRODOS DOPADA Y DICHA ZONA DOPADA DE AISLAMIENTO POR UN PRIMER TRECHO 54; UNA CAPA DE AISLAMIENTO 56 SOBRE PARTE DE DICHA ZONA EPITAXIAL ENTRE DICHA ZONA DE AISLAMIENTO DOPADA Y DICHA ZONA DE ELECTRODOS DOPADA, CUBRIENDO DICHA CAPA DE AISLAMIENTO UNA PARTE DEL EXTREMO DE DICHA ZONA DOPADA DE ELECTRODOS; UNA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA POLICRISTALINA 60 SOBRE DICHA CAPA DE AISLAMIENTO; Y UNA CAPA DE METALIZACION 68, 74, CARACTERIZANDOSE DICHO DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION POR: UNA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA POLICRISTALINA 40 SOBRE DICHA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA POLICRISTALINA. TAMBIEN SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION.
CIRCUITO INTEGRADO PROTECTOR.
(01/10/1988). Ver ilustración. Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH CO.. Inventor/es: STRAUSS, MARK STEVEN.
LOS CIRCUITOS INTEGRADOS REALIZADOS CON LA TECNOLOGIA DE PUERTA AISLADA (V.G., CMOS) SE HAN PROTEGIDO CONTRA LA DESCARGA ELECTROSTATICA (ESD) MEDIANTE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE PUERTA METALICA. SORPRENDENTEMENTE, SE OBTIENE UNA PROTECCION SUPERIOR OMITIENDO LA PUERTA METALICA, BASANDOSE DE ESTE MODO TAN SOLO EN LA DESCARGA EN ALUD DEL DISPOSITIVO BIPOLAR PARA LA PROTECCION DE POLARIDAD OPUESTA. SE POSTULA QUE EL EFECTO DE CAMPO DEL DISPOSITIVO DE PUERTA METALICA RESTRINGE INDESEABLEMENTE EL FLUJO DE CORRIENTE EN EL DISPOSITIVO DE LA TECNOLOGIA ANTERIOR. LA TECNICA DE LA INVENCION SE PUEDE REALIZAR CONVENIENTEMENTE EMPLEANDO UN DIODO EN LUGAR DE UN TRANSISTOR COMO ELEMENTO PROTECTOR.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PERFECCIONADO.
(16/08/1982). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR COMPRENDE UNA REGION DE SUSTRATO DE CONDUCTIVIDAD TIPO P Y UNA REGION SEMICONDUCTORA DE TIPO N, DISPUESTA SOBRE LA REGION DE SUSTRATO EN FORMA DE CAPA Y FORMANDO CON ELLA UNA UNION PN. ESTA REGION SEMICONDUCTORA CONSTA DE DOS ZONAS: UNA INFERIOR, QUE CONTIENE UNA CONCENTRACION NETA MEDIA DE IMPUREZAS ELEVADA, UNA SUPERIOR, ENQUE LA CONCENTRACION DE IMPUREZAS ES MENOR. UNA PARTE DE LA REGION SEMICONDUCTORA ESTA DISPUESTA POR UNA REGION DE SEPARACION DE TIPO P. UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION ESTA DISPUESTO EN LA PARTE (3A).
DISPOSITIVO DE FUENTE POLIGONAL MULTIPLE PARA MOSFET.
(01/09/1980) Dispositivo de fuente poligonal múltiple para "Mosfet", de gran potencia; dicho dispositivo comprende un disco de material semiconductor con una primera superficie y una segunda superficie paralela; dicho dispositivo se caracteriza porque en la citada primera superficie existe una pluralidad de zonas fuentes dispuestas espaciadas simétricamente; una capa aislante de regulación en esa primera superficie y dispuesta entre las regiones fuente; y un electrodo de regulación en dicha capa aislante reguladora; un electrodo de consumo en la segunda superficie y medios de electrodo fuentes/generadores conectados a dichas regiones fuente; un canal…
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/03/1980). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Un dispositivo semiconductor con un cuerpo semiconductor que tiene una superficie sustancialmente plana, que comprende al menos un transistor de efector de campo que tiene un electrodo de entrada y un electrodo de salida, una región de canal entre dichos electrodos de entrada y salida, y un electrodo de control adyacente a la región de canal para influir, por medio de una tensión de electrodo de control aplicada al electrodo de control, sobre una zona de empobrecimiento de portadores para controlar un flujo de portadores de carga entre los electrodos de entrada y salida.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PERFECCIONADO.
(16/05/1979). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Un dispositivo semiconductor perfeccionado dotado de un cuerpo semiconductor que comprende por lo menos un elemento de circuito semiconductor bipolar de alta tensión, comprendiendo dicho elemento de circuito bipolar una primera región de forma de islote, de un primer tipo de conductividad y contigua a una superficie substancialmente plano, formando dicha primera región, con una segunda región subyacente del segundo tipo de conductividad, una primera unión PN que se extiende substancialmente paralela a la superficie.
PERFECCIONAMIENTOS EN ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS.
(01/03/1977). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY.
Resumen no disponible.
PERFECCIONAMIENTOS EN UN GRUPO RECTIFICADOR TRIFASICO PARA ALTERNADORES DE AUTOMOVILES CON CIRCUITO AUXILIAR DE EXCITACION.
(01/03/1976). Solicitante/s: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION ITALIANA,S.P.A.
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/06/1975). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/03/1962). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Resumen no disponible.
UN MÉTODO DE OBTENER UNA BARRERA RECTIFICADORA EN UNA GALLETA DE SEMICONDUCTOR.
(16/03/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Un método de obtener una barrera rectificadora en una galleta de semiconductor, que comprende las etapas de ; precaldear por separado dicha galleta, dejando al descubierto una cara principal de la misma, y una carga que incluye una sustancia determinativa del tipo de conductividad, o impureza activa, a una temperatura superior al punto de fusión de dicha sustancia o impureza; inundar con dicha carga fundida la mencionada cara expuesta de dicha galleta, hasta disolver una parte de dicha galleta; enfriar dicha carga fundida y dicha galleta a una temperatura a la cual una parte de dicha galleta disuelta y dicha impureza o sustancia determinativa de tipo precipita y se recristaliza sobre la cara expuesta de la citada galleta; y separar luego por decantación el resto de dicha carga fundida.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Resumen no disponible.
APARATO REPETIDOR SEMICONDUCTOR.
(01/03/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Aparato repetidor semiconductivo que comprende un dispositivo compuesto de un cuerpo de material semiconductivo, con un empalme PN plano por lo menos a través del mismo, el cual define al menos dos regiones contiguas de tipos de conductividad recíprocamente opuestos, y electrodos de baja resistencia aplicados en esas dos regiones o zonas; caracterizado porque de los mencionados electrodos de baja resistencia, el primero y el segundo están dispuestos, separados uno de otro, en una de las zonas, y el tercero y el cuarto lo están en la otra zona, y porque se dispone un generador de potencial para polarizar el empalme en la dirección inversa.
