CIP-2021 : H01L 31/0248 : caracterizados por sus cuerpos semiconductores.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 31/00 › H01L 31/0248[1] › caracterizados por sus cuerpos semiconductores.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/0248 · caracterizados por sus cuerpos semiconductores.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Formación de películas finas en múltiples fases para dispositivos fotovoltaicos.
(11/01/2017) Un método para producir una película de un material compuesto que comprende las etapas de proporcionar un sustrato;
depositar una película en el sustrato usando un material totalmente reaccionado, en el que la película depositada y el material totalmente reaccionado tienen una primera composición química que incluye al menos un primer elemento químico y al menos un segundo elemento químico;
en el que dicha etapa de deposición de la película comprende las etapas de preparar el material totalmente reaccionado desde dicho al menos un primer elemento químico y dicho al menos un segundo elemento químico, formar al menos una diana…
MEDIO DE CALENTAMIENTO SENSIBLE A LA RADIACIÓN ELECTROMAGNÉTICA BASADO EN MATERIALES DE MOTT.
(15/10/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA.. Inventor/es: NAVASCUES GARCIA,NURIA, SANTAMARIA RAMIRO,Jesús M, GRACIA BUDRIA,José, ESCUIN MELERO,Miguel, MALLADA VIANA,Reyes.
La presente invención se refiere a medios de calentamiento que permiten una absorción óptima de una radiación electromagnética no ionizante cuya energía o información asociada, se transforma en calor. El objeto de la invención consiste en una composición y una arquitectura basada en micro y nanopartículas capaces de resonar con la radiación externa. Como entidades sensibles a la radiación, dichas partículas comprenden preferentemente materiales de Mott. En términos de eficiencia, las partículas de materiales de Mott deben dispersarse en una matriz espaciadora cuya carga máxima la determinará de forma exacta el límite de percolación eléctrica del nanocompuesto. La invención puede usarse para generar calor de forma selectiva, para la activación catalítica o como material que evite la propagación de una señal electromagnética.
Dispositivo fotovoltaico de capa fina con estructura de cristal fotónico y comportamiento como sistema de confinamiento cuántico, y su procedimiento de fabricación.
(10/06/2014) Una célula solar de capa fina con cavidades nanométricas y periódicas, realizadas sobre la capa correspondiente al electrodo anterior compuesto por un material conductor transparente, o sobre el sustrato no fotoactivo plano a escala nanométrica, y rellenas el por electrodo anterior compuesto por un material conductor transparente o por material semiconductor fotoactivo respectivamente, de manera que se consigue un sistema de confinamiento cuántico a la vez que esa misma estructura funciona de cristal fotónico. Un procedimiento de fabricación de la célula solar de capa fina basado en tecnologías de litografía por interterometría…
Célula solar de película delgada y método de fabricación.
(27/11/2013) Una célula solar de película delgada que comprende un sustrato y un absorbente de calcopirita, en laque se proporciona un contacto posterior de material compuesto entre el sustrato y el absorbente de calcopirita, caracterizada por que dicho contacto posterior de material compuesto comprende: una capa reflectora posterior formada por ZrN y,
una capa de contacto que se proporciona entre la capa reflectora posterior y el absorbente ,capa de contacto que se forma de un seleniuro o sulfuro de un elemento metálico elegido del grupo IVB del sistemaperiódico, o grupo VB del sistema periódico, o grupo VIB del sistema periódico, o grupo VIIB del sistema periódico
