(01/03/2017) Una estructura de encapsulado de componente electrónico, donde la estructura de encapsulado de componente electrónico comprende al menos un sustrato , una tapa conductora y un adhesivo no conductor , en la que: el sustrato tiene un área de acoplamiento fijada para acoplarse a un componente electrónico; la tapa conductora tiene una parte superior y una pared lateral que se extiende hacia el sustrato , donde un lado de la pared lateral cercano al sustrato tiene un extremo de unión , donde el extremo de unión une la tapa conductora al sustrato mediante el adhesivo no conductor , y la tapa conductora unida al sustrato encierra el área de acoplamiento y forma un espacio…

(21/03/2013) Módulo de semiconductores de potencia con al menos dos unidades de semiconductores de potencia conectadas entre sí, que presentan semiconductores de potencia activables, una carcasa de módulo en la que están dispuestas las unidades de semiconductores de potencia y que presenta una pared lateral eléctricamente aislante, y al menos un riel de conexión que se extiende a través de la pared lateral y que está unido al menos a una de las unidades de semiconductores de potencia , caracterizado porque la pared lateral aislante está configurada como apilamiento de elementos parciales aislantes y configurados de forma enteriza, en donde los elementos parciales hacen contacto en yuxtaposición con regiones de contacto.

(20/04/2012) Un módulo de semiconductor de potencia con un sustrato , cuya cara superior está poblada con por lo menos un componente del semiconductor de potencia y un alojamiento en forma de bandeja , en el que el borde de la bandeja del alojamiento está diseñado para que sea escalonado con un borde exterior elevado periférico y un borde interior bajo con respecto al borde exterior , bordes los cuales están conectados uno con el otro por medio de una superficie escalonada , en el que el sustrato con su zona del borde de su cara superior adyacente a su borde exterior se asienta contra el alojamiento y en el que zonas de las esquinas relacionadas del borde de la bandeja del alojamiento están destinadas…

(07/03/2011) Un procedimiento de cierre hermético de al menos una microcavidad entre una primera oblea y una segunda oblea , comprendiendo dicho procedimiento las etapas de proporcionar sobre al menos una de las primera y segunda obleas una configuración cerrada de un material de estanqueidad apropiado para constituir al menos una barrera de difusión y proporcionar un material de unión intermedio separado del material de estanqueidad sobre al menos una de las primera y segunda obleas , comprendiendo el material de unión intermedio un adhesivo, la alineación de dichas primera y segunda obleas y la aplicación de presión para constituir la al menos una barrera de difusión y para crear una conexión…

(24/02/2011) Unidad de control , en particular en el ámbito de los vehículos a motor, que comprende: Un marco que presenta una entalladura que es atravesada por los circuitos impresos eléctricos para un suministro eléctrico; Una placa base que se encuentra insertada en el marco ; Una placa portadora de circuitos que porta componentes electrónicos y que se encuentra montada en la placa base ; Una conexión eléctrica para conectar la placa portadora de circuitos con los circuitos impresos ; y con Una tapa para un cierre hermético de la unidad de control que presenta una protuberancia que se puede insertar en la entalladura dispuesta en el marco ; caracterizada porque, se provee un gel impermeabilizante en la entalladura…

(01/01/1962) Método de fabricación de conjuntos semiconductores con capa de bloqueo que comprenden un cuerpo semiconductor de silicio, mediante un tratamiento de aleación difusión en que la difusión predominante de una impureza aceptora desde una masa fundida de material electródico provista sobre el cuerpo de silicio que contiene una impureza aceptora activa y una impureza dadora activa, se forma una capa de difusión de tipo p, en el silicio adyacente, después de lo cual, durante el enfriamiento, en orden de sucesión , son depositadas una capa de silicio recristalizado de tipo n, debido a la segregación predominante del dador, y un material electródico residual para ser usado como un contacto, desde esta masa fundida sobre dicha capa de difusión, caracterizado por el hecho de que al menos una de las impurezas que actúan en el proceso de aleación…