(06/03/2019) Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio por recuperación de semillas en un horno de solidificación dirigida, que comprende al menos las etapas que consisten en: (i) disponer de un crisol de eje (Z) longitudinal, cuyo fondo comprende un pavimento de semillas de silicio monocristalino de forma en prisma recto, estando el pavimento formado: - de una o varias semillas centrales Gc; y - de unas o varias semillas periféricas Gp, contiguas a las semillas Gc; y (ii) proceder a la solidificación dirigida de silicio por recuperación de semillas, según una dirección de crecimiento colineal al eje (Z); caracterizado por que una semilla Gp presenta una red cristalina simétrica de la red cristalina de la semilla Gc contigua, con respecto al plano P definido por la frontera entre dichas semillas…

(23/01/2019) Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio , dotado de juntas de grano simétricas, que comprende al menos las etapas que consisten en: (i) disponer de un crisol de eje (Z) longitudinal, cuyo fondo comprende un pavimento formado de gérmenes de silicio monocristalino de forma de adoquín recto de base cuadrada o rectangular y dispuestos de manera aneja, estando dicho pavimento visto según el eje (Z) en forma de una cuadrícula de direcciones ortogonales (x) y (y) paralelas a las aristas de los gérmenes; y (ii) proceder a la solidificación dirigida de silicio por recogida en gérmenes según una dirección de crecimiento colineal al eje (Z); caracterizado por que el pavimento en la etapa (i) se realiza a partir de gérmenes de silicio idénticos, siendo dos gérmenes…

(16/12/2015) Dispositivo que forma un crisol para la fabricación de material cristalino por cristalización dirigida que incluye un fondo y al menos una pared lateral en el que el fondo incluye: - una primera parte (2a) que presenta una primera resistencia térmica y una segunda parte (2b) que presenta una segunda resistencia térmica inferior a la primera resistencia térmica y destinada a recibir una semilla en el segundo material cristalino para la fabricación de dicho material cristalino, estando el fondo y dicha al menos una pared lateral formados al menos en parte por una pieza estanca que incluye al menos un endentado que participa para definir dichas partes primera y segunda (2a, 2b), dispositivo caracterizado porque la primera parte (2a) está recubierta por una primera…

(10/09/2014) Crisol para la producción de lingotes de material semiconductor cristalino, tal como silicio, comprendiendo dicho crisol paredes laterales periféricas (1 b) y un piso (1 a) estando al menos una porción de dicho piso revestida con una capa superior , caracterizado porque, dicha capa superior tiene un espesor, δ, de al menos 500 μm y porque, a una temperatura de deformación por debajo de 1.400 °C, dicha capa superior se puede deformar en forma plástica o viscosa.

(04/12/2013) Procedimiento para la purificación de silicio metalúrgico por solidificación dirigida con el fin de obtener silicio de calidad solar o fotovoltaica , procedimiento caracterizado porque comprende una etapa de cristalización usando un germen de silicio que recubre el fondo del crisol.