(26/06/2019) Una estructura de interconexión posterior a la pasivación, que comprende: uno o más circuitos internos que comprenden uno o más dispositivos activos formados en y sobre un sustrato semiconductor ; uno o más circuitos ESD formados en y sobre dicho sustrato semiconductor ; una capa de interconexiones de línea fina que comprende un sistema de metalización de línea fina, formado sobre dicho sustrato semiconductor en una o más capas delgadas de dieléctrico; una capa de pasivación sobre dicha capa de interconexiones de línea fina ; un sistema de metalización grueso y ancho que es una red de interconexión de cables anchos y gruesos formada sobre dicha capa de pasivación, en una o más capas gruesas de dieléctrico , en el que dichas capas gruesas de dieléctrico son más gruesas…

(11/02/2015) Dispositivo electrónico que comprende conexiones eléctricas que se extienden según al menos dos direcciones distintas, estando dichas conexiones realizadas por medio de haces de nanotubos de carbono (CNT) , de los que al menos dos haces de CNT incluyen una parte (8a) cuyo eje está dirigido según una primera dirección, y una parte (8b) cuyo eje está redirigido según una segunda dirección, caracterizado porque la conexión entre los haces de CNT está garantizada mediante superposición sucesiva de los extremos de dichos al menos dos haces de manera a formar una pista de conexión , incluyendo al menos uno de dichos haces de CNT una parte (8a) dentro de un orificio metalizado.

(17/10/2012) Un procedimiento de supervisión de un canal de control dedicado, transmitido en una modalidad de transmisióndiscontinua a una estación móvil , comprendiendo el procedimiento: rastrear un tipo de trama entre tramas recibidas en una transmisión, donde las tramas comprenden tramasmalas, tramas buenas y tramas vacías; contar un número de tramas vacías recibidas; e inhabilitar un medio transmisor de la estación móvil cuando se recibe un número umbral de tramasvacías.

(15/08/2012) Dispositivo para establecer una conexión eléctrica horizontal entre por lo menos dos bornes de unión eléctricos que comprende nanotubos de carbono horizontales que unen las paredes verticales de dichos bornes de unión, dichos bornes de unión estando realizados con la ayuda de un apilamiento de capas de por lo menos dos materiales, uno que cataliza el crecimiento de los nanotubos y el otro que juega el papel de separador entre las capas de material que cataliza el crecimiento de los nanotubos.

(01/09/2005) Un circuito de memoria ferroeléctrica o electret (C), en concreto, un circuito de memoria ferroeléctrica o electret con una resistencia a la fatiga mejorada, que comprende una celda de memoria con un material de memoria ferroeléctrica o electret , que presenta histéresis y es capaz de ser polarizado a un estado de polarización positivo o negativo con un determinado valor de polarización, en el que el material de memoria ferroeléctrica o electret es un material polimérico u oligomérico, o mezclas o materiales compuestos que comprenden materiales de este tipo, y con el primer y segundo electrodo (1a y 1b) dispuestos en contacto directo o indirecto con el material de memoria, en una disposición tal que mediante…

(16/07/2005) Circuito (C) de memoria ferroeléctrica que comprende una célula (F) de memoria ferroeléctrica en la forma de una película delgada de polímero ferroeléctrico y un primero y segundo electrodos (E1;E2) respectivamente, que entran en contacto con la célula (F) de memoria ferroeléctrica por unas superficies opuestas de la misma, por lo que un estado de polarización de la célula puede ser establecido, conmutado o detectado mediante la aplicación de unas tensiones apropiadas sobre los electrodos (E1;E2), caracterizado porque por lo menos uno de los electrodos (E1;E2) comprende por lo menos una capa de contacto (P1;P2), comprendiendo…