(18/12/2019) Sensor de imagen con transferencia de cargas que funciona con desplazamiento e integración de cargas, comprendiendo el sensor de imagen N líneas adyacentes de P píxeles para una observación de una misma línea de imagen sucesivamente por varias líneas de píxeles con una suma de cargas eléctricas generadas por un punto de imagen durante una duración (TL) periódica de línea en los píxeles de un mismo rango de diferentes líneas, comprendiendo los píxeles, cada uno, una sucesión, en el sentido del desplazamiento, de zonas de almacenamiento de cargas de las cuales algunas son fotosensibles, comprendiendo el sensor de imagen medios de control para aplicar a estas zonas potenciales que permitan el almacenamiento y después la transferencia direccional de las cargas de un píxel…

(19/11/2015) Un dispositivo detector de radiación semiconductor, que comprende una capa de volumen de material semiconductor, y sobre una primera superficie de la capa de volumen en el siguiente orden: - una capa de compuerta interna modificada de semiconductor del segundo tipo de conductividad, - una capa de barrera de semiconductor del primer tipo de conductividad y - dopadores de pixel de semiconductor del segundo tipo de conductividad, adaptados para ser acoplados a por lo menos un pixel de voltaje, con el objeto de crear los pixeles que corresponden a los dopadores de pixel, caracterizado porque: - el dispositivo comprende un primer contacto de un primer tipo de conductividad, dicho pixel de voltaje siendo definido como una diferencia de potencial entre el dopador de pixel y el primer contacto, -…

(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~ una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende: dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor , siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga; estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…

(12/11/2014) Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende: formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes: formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ; formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ; atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ; eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y atacar químicamente tres de dichas cuatro…

(16/05/2004) Procedimiento para la determinación de información sobre fases y/o amplitudes de una onda electromagnética, en el que se irradia una onda electromagnética sobre la superficie de un elemento fotónico mixto, que presenta al menos un pixel, presentando el pixel al menos dos fotopuertas Gam y Gbm de modulación sensibles a la luz y puertas Ga y Gb de acumulación asociadas; en el que, en las fotopuertas Gam y Gbm de modulación, se aplican tensiones Uam (t) y Ubm(t) de las fotopuertas de modulación, que están configuradas como Uam(t)=Uo+Um(t) y Ubm=Uo-Um(t); en el que se aplica una tensión continua a las puertas Ga y Gb de acumulación, cuyo valor es al menos tan grande como el valor de la suma de Uo y la amplitud de la tensión Um(t) de modulación; en el que los portadores de carga generados por la onda electromagnética incidente en la zona de…