Inductores de alto rendimiento.

Un dispositivo inductor (400), que comprende:

un primer medio conductor plano (410);



un segundo medio conductor plano (420) debajo de y alineado de manera sustancialmente vertical con el primer medio conductor (410);

un tercer medio conductor plano (430) coubicado entre el primer medio conductor (410) y el segundo medio conductor (420);

una primera vía alargada (414) alineada verticalmente entre el primer medio conductor (410) y el tercer medio conductor (430), donde la primera vía alargada (414) está configurada para acoplar de manera conductiva el primer medio conductor (410) al tercer medio conductor (430) y tiene una relación de aspecto de una longitud, medida en la dirección de dicho plano, a una altura de la primera vía alargada (414) de al menos aproximadamente 2 a 1, donde la longitud de la primera vía alargada (414) sigue sustancialmente una curva del primer medio conductor (410) y del tercer medio conductor (420); y

una segunda vía alargada (424) alineada verticalmente entre el tercer medio conductor (430) y el segundo medio conductor (420), donde la segunda vía alargada (424) está configurada para acoplar de manera conductiva el tercer medio conductor (430) al segundo medio conductor (420) y tiene una relación de aspecto de una longitud a una altura de al menos aproximadamente 2 a 1, donde la longitud de la segunda vía alargada (424) sigue sustancialmente una curva del tercer medio conductor (430) y del segundo medio conductor (420);

en el que cada uno del primer medio conductor (410), el segundo medio conductor (420) y el tercer medio conductor (430) consisten en múltiples capas metálicas.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2016/053620.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: ZUO,CHENGJIE, KIM,JONGHAE, KIM,DAEIK DANIEL, VELEZ,MARIO FRANCISCO, YUN,CHANGHAN HOBIE, MUDAKATTE,NIRANJAN SUNIL, BERDY,DAVID FRANCIS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01F17/00 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS.Inductancias fijas del tipo señal.
  • H01F41/04 H01F […] › H01F 41/00 Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación o al acoplamiento de dispositivos cubiertos por la presente subclase. › para fabricar bobinas.

PDF original: ES-2797149_T3.pdf

 

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