Inductores de alto rendimiento.
Un dispositivo inductor (400), que comprende:
un primer medio conductor plano (410);
un segundo medio conductor plano (420) debajo de y alineado de manera sustancialmente vertical con el primer medio conductor (410);
un tercer medio conductor plano (430) coubicado entre el primer medio conductor (410) y el segundo medio conductor (420);
una primera vía alargada (414) alineada verticalmente entre el primer medio conductor (410) y el tercer medio conductor (430), donde la primera vía alargada (414) está configurada para acoplar de manera conductiva el primer medio conductor (410) al tercer medio conductor (430) y tiene una relación de aspecto de una longitud, medida en la dirección de dicho plano, a una altura de la primera vía alargada (414) de al menos aproximadamente 2 a 1, donde la longitud de la primera vía alargada (414) sigue sustancialmente una curva del primer medio conductor (410) y del tercer medio conductor (420); y
una segunda vía alargada (424) alineada verticalmente entre el tercer medio conductor (430) y el segundo medio conductor (420), donde la segunda vía alargada (424) está configurada para acoplar de manera conductiva el tercer medio conductor (430) al segundo medio conductor (420) y tiene una relación de aspecto de una longitud a una altura de al menos aproximadamente 2 a 1, donde la longitud de la segunda vía alargada (424) sigue sustancialmente una curva del tercer medio conductor (430) y del segundo medio conductor (420);
en el que cada uno del primer medio conductor (410), el segundo medio conductor (420) y el tercer medio conductor (430) consisten en múltiples capas metálicas.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2016/053620.
Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: ZUO,CHENGJIE, KIM,JONGHAE, KIM,DAEIK DANIEL, VELEZ,MARIO FRANCISCO, YUN,CHANGHAN HOBIE, MUDAKATTE,NIRANJAN SUNIL, BERDY,DAVID FRANCIS.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01F17/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS. › Inductancias fijas del tipo señal.
- H01F41/04 H01F […] › H01F 41/00 Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación o al montaje de imanes, inductancias o transformadores; Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación de materiales caracterizados por sus propiedades magnéticas. › para fabricar bobinas.
PDF original: ES-2797149_T3.pdf
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