Estructura de inductor acoplada en sustrato.

Una estructura de inductor (200) que comprende:

un sustrato de silicio planar (202);



un primer devanado de inductor (204) integrado en el sustrato de silicio, en el que el primer devanado de inductor comprende los primer y segundo terminales (208, 210);

un segundo devanado de inductor (206) integrado en el sustrato de silicio, en el que el segundo devanado de inductor comprende los tercer y cuarto terminales (212, 214);

una primera capa ferromagnética (420) en un primer lado del sustrato de silicio; y

una segunda capa ferromagnética (422) en un segundo lado del sustrato de silicio opuesto al primer lado del sustrato de silicio;

en el que el sustrato de silicio está localizado lateralmente entre el primer devanado de inductor y el segundo devanado de inductor,

en el que el primer devanado de inductor y el segundo devanado de inductor son lateralmente coplanares dentro del sustrato de silicio,

en el que los terminales de los primer y segundo devanados de inductor son vías de sustrato pasantes que atraviesan todo el sustrato de silicio,

en el que las primera y segunda capas ferromagnéticas están configuradas para proporcionar blindaje magnético para la estructura de inductor, y

en el que ambos lados de uno o más de los terminales de los primer y segundo devanados de inductor quedan expuestos a través de una parte de las primera y segunda capas ferromagnéticas.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2014/015380.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: DOYLE,JAMES THOMAS, MAHMOUDI,FARSHEED, SHAYAN ARANI,AMIRALI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01F17/00 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS.Inductancias fijas del tipo señal.
  • H01F27/28 H01F […] › H01F 27/00 Detalles de transformadores o de inductancias en general. › Bobinas; Arrollamientos; Conexiones conductoras.
  • H01L23/64 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones relativas a la impedancia.
  • H01L25/10 H01L […] › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › los dispositivos tienen contenedores separados.

PDF original: ES-2778872_T3.pdf

 

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