Dispositivo de soporte para sustratos, así como procedimiento para el revestimiento de un sustrato.

Dispositivo de soporte (1) para sustratos (2) a revestir que comprende un dispositivo de apoyo (3) para el sustrato (2) a revestir,

que presenta una cara delantera configurada de forma plana para el apoyo del sustrato (2), así como una cara trasera enfrentada a la cara delantera con una cara delantera configurada de forma plana para el apoyo del sustrato, así como una cara trasera enfrentada a la cara delantera, en donde está presente al menos una abertura (4) pasante, que une las dos caras del dispositivo de apoyo (3), a través de la cual es posible una regulación de la presión de gas que reina en la cara del sustrato (2),

caracterizado por que

el dispositivo de apoyo (3) está delimitado por al menos dos elementos de soporte dispuestos de manera enfrentada, en donde los elementos de soporte están formados por al menos dos brazos (5, 5') dispuestos de manera enfrentada, que están delimitados por paredes (6, 6') y cantos internos (7, 7'), delimitando el dispositivo de apoyo (3) y los brazos (5, 5') una zona en la que puede alojarse el sustrato (2) a revestir, y las paredes (6, 6') de los brazos (5, 5') situadas en el interior, orientadas hacia la zona del sustrato (2), presentan, en relación con la superficie de apoyo para el sustrato (2) del dispositivo de apoyo (3), un ángulo de < 90º.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2011/006419.

Solicitante: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V..

Inventor/es: ARNOLD,MARTIN, REBER,STEFAN, SCHILLINGER,NORBERT, POCZA,DAVID.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C14/50 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento (tubos de descarga provistos de medios que permiten la introducción de objetos o de un material para ser expuestos a la descarga H01J 37/00). › Portasustrato.
  • C23C16/458 C23C […] › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › caracterizado por el proceso utilizado para mantener el sustrato en la cámara de reacción.
  • H01L21/673 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › que utilizan portadores especialmente adaptados.
  • H01L21/683 H01L 21/00 […] › para sostener o sujetar (para el posicionado, orientación o alineación H01L 21/68).

PDF original: ES-2727413_T3.pdf

 

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