Portasustratos portador de un sustrato en cada uno de sus dos lados anchos que miran uno hacia fuera de otro.

Portasustratos para disponerlo en un reactor CVD o PVD (20), especialmente para la deposición de nanotubos de carbono y grafeno,

con una primera superficie de lado ancho (2) para recibir un sustrato (6) a revestir y con una segunda superficie de lado ancho (3) que mira hacia fuera de la primera superficie de lado ancho (2), en el que la primera superficie de lado ancho (2) y la segunda superficie de lado ancho (3) presentan sendas zonas de alojamiento de sustrato (4, 5) en las que están previstos elementos de inmovilización (14, 14', 15) con los cuales se puede fijar siempre un sustrato (6) o secciones de un sustrato (6) a la superficie de lado ancho (2, 3), y en el que la zona de alojamiento de sustrato (4, 5) presenta dos primeros bordes (4') que miran uno hacia fuera de otro y unos segundos bordes (11) que se extienden transversalmente a los primeros bordes (4'), y con una sección de manipulación (7) dotada de unos salientes (12) que se proyectan más allá del respectivo segundo borde (11), caracterizado por que el portasustratos es un cuerpo plano y los salientes (12) formados por secciones de manipulación (7) adyacentes a los primeros bordes (4') son secciones de guía que penetran en elementos de guía (21, 22) del reactor CVD o PVD.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/055641.

Solicitante: AIXTRON SE.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Dornkaulstrasse 2 52134 Herzogenrath ALEMANIA.

Inventor/es: JOUVRAY,ALEXANDRE, RIPPINGTON,DAVID ERIC, TEO,KENNETH B. K, RUPESINGHE,NALIN L.

Fecha de Publicación: 16 de Octubre de 2019.

Clasificación Internacional de Patentes:

B82Y30/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B82 NANOTECNOLOGIA. › B82Y USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACION O TRATAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS. › Nano tecnología para materiales o ciencia superficial, p.ej. nano compuestos.
B82Y40/00 B82Y […] › Fabricación o tratamiento de nanoestructuras.
C01B32/16 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 32/00 Carbono; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; percarbonatos C01B 15/10; negro de carbón C09C 1/48). › Preparación.
C23C14/50 C […] › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento. › Portasustrato.
C23C16/458 C23C […] › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › caracterizado por el método usado para sujetar los sustratos en la cámara de reacción.
H01L21/67 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido.
H01L21/673 H01L 21/00 […] › que utilizan portadores especialmente adaptados.

PDF original: ES-2761565_T3.pdf

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