Método para fabricar una célula solar y dispositivo de fabricación de película.
Un método para fabricar una célula solar que tiene una superficie receptora de luz,
que comprende las etapas de:
formar una capa de difusión de tipo n en la superficie de un sustrato de silicio de tipo p en la cara receptora de luz,
formar una película antirreflectante/de pasivación sobre el sustrato sobre dicha capa de difusión, estando hecha la película antirreflectante/de pasivación de SiN y formándose esta mediante CVD asistida por plasma,
recocer después el sustrato, siendo la etapa de recocido a una temperatura de 500 °C a 850 °C en una atmósfera de H2, N2 o una mezcla de los mismos, y después
formar electrodos sobre el sustrato y cocer los electrodos.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2011/065861.
Solicitante: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD..
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 6-1, OHTEMACHI 2-CHOME CHIYODA-KU TOKYO 100-0004 JAPON.
Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, MURAKAMI, TAKASHI, MITTA,RYO, WATABE,TAKENORI, TAKAHASHI,MITSUHITO, HASHIGAMI,HIROSHI, TSUKIGATA,SHINTAROU.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0216 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
- H01L31/0224 H01L 31/00 […] › Electrodos.
- H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
PDF original: ES-2732356_T3.pdf
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