Generación de un estado no reversible en una célula de bits que tiene una primera unión de túnel magnética y una segunda unión de túnel magnética.
Un procedimiento que comprende:
aplicar una tensión de programa a una primera unión de túnel magnética MTJ (310) de una célula de bits sin aplicar la tensión de programa a una segunda MTJ (314) de la célula de bits (302) para generar un estado no reversible en la célula de bits (302);
caracterizado por
detectar el estado no reversible comparando un primer valor leído en la primera MTJ (310) y recibido en una primera entrada de un amplificador diferencial (322) con un segundo valor leído en la segunda MTJ (314) y recibido en una segunda entrada del amplificador diferencial (322), en el que el primer valor corresponde a una primera tensión de una primera línea de bits (230, 332BL) acoplada a la primera MTJ (310) y el segundo valor corresponde a una segunda tensión de una segunda línea de bits (232, 332BL
) acoplada a la segunda MTJ (314).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2011/046429.
Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: YU, NICHOLAS, K., ASHKENAZI,ASAF, KANG,Seung H, NOWAK,MATTHEW MICHAEL, KIM,TAE HYUN, ZHU,XIAOCHUN, LI,XIA, LEE,KANGHO, KIM,JUNG PILL, RAO,HARI M, HSU,WAH NAM, HAO,WUYANG, SUH,JUNGWON, MILLENDORF,STEVEN M.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/16 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético.
- G11C17/02 G11C […] › G11C 17/00 Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano. › utilizando elementos magnéticos o inductivos (G11C 17/14 tiene prioridad).
- G11C17/16 G11C 17/00 […] › utilizando uniones fusibles eléctricamente.
PDF original: ES-2718487_T3.pdf
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