DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO CON UNION PIN QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA A-SIGE DE TIPO I CON UN PUNTO MAXIMO PARA EL CONTENIDO DE GE.
SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE COMPRENDE UN SUSTRATO Y UNA REGION LAMINAR ACTIVA SEMICONDUCTORA DE CLAVIJA DE UNION DISPUESTA SOBRE EL SUSTRATO.
LA REGION LAMINAR COMPRENDE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA TIPO-P (115) COMPUESTA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CRISTALINO NO-UNICO TIPO-P,UNA LAMINA SEMICONDUCTORA TIPO-I COMPUESTA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CRISTALINO NO-UNICO TIPO-I, Y UNA LAMINA SEMICONDUCTORA TIPO-N (103) COMPUESTA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CRISTALINO NO-UNICO TIPO-N; Y SE CARACTERIZA POR (A) UNA LAMINA SEPARADORA (118)QUE COMPRENDE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICONA CRISTALINA NO-UNICO CON APENAS ATOMOS DE GERMANIO SE INTERPONE ENTRE LAS LAMINAS SEMICONDUCTORAS TIPO-P Y TIPO-I,(B) UNA LAMINA SEPARADORA (117)QUE COMPRENDE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICONA CRISTALINA NO-UNICO CON APENAS ATOMOS DE GERMANIO SE INTERPONE ENTRE LAS LAMINAS TIPO-I TIPO-N, Y LA LAMINA TIPOI ESTA FORMADA POR UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICONA DE GERMANIO AMORFA CON UN 20 A UN 70% DE ATOMOS DE GERMANIO SOBRE LA REGION COMPLETA,DONDE LA DISTRIBUCION DE LOS ATOMOS DE GERMANIO EN LA DIRECCION DE GROSOR VARIA MIENTRAS SE PROVEE UN PUNTO DE CONCENTRACION MAXIMO
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.
Inventor/es: SANO, MASAFUMI, MATSUDA, KOICHI, MURAKAMI, TSUTOMU.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 31 de Marzo de 1999.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/075 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p. ej. células solares de sílice amorfo PIN.
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