Detección de arcos eléctricos en instalaciones fotovoltaicas.

Procedimiento de detección de un arco en serie en un dispositivo fotovoltaico,

que funciona en corriente continua, que consta de N módulos fotovoltaicos (100, 1, 2, 3), siendo N igual a 1 o estrictamente superior a 1, estando estos módulos conectados a un dispositivo de carga (10) que presenta un comportamiento capacitivo para los módulos, constando este procedimiento de:

a) detectar, en los terminales de n de los N módulos, siendo n superior o igual a 1 o inferior o igual a N, la evolución temporal de la tensión,

caracterizado por que dicho procedimiento consta, además, de:

b) identificar una variación de tensión entre:

- una primera zona (A) de tensión estable;

- y una segunda zona (B) de tensión, estable durante una duración de al menos 5 μs, que sigue inmediatamente a dicha variación de tensión, y

c) determinar si la variación de tensión está comprendida entre un valor mínimo Vmín superior o igual a 0, 2 V y un valor máximo Vmáx inferior o igual a 20 V, con un tiempo de subida de esta variación comprendido entre una duración mínima Tmín superior o igual a 0, 5 μs y una duración máxima Tmáx inferior o igual a 5 μs.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2012/063063.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: Bâtiment le Ponant D, 25 rue Leblanc 75015 Paris FRANCIA.

Inventor/es: CHAINTREUIL,NICOLAS, CHAUVE,VINCENT.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01R31/12 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 31/00 Dispositivos para verificar propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizados por lo que es probado, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; Ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46). › Ensayo de la rigidez dieléctrica o de la tensión de ruptura.

PDF original: ES-2739279_T3.pdf

 

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