Procedimiento para el desdoblamiento selectivo de silanos superiores.
Un procedimiento para la preparación de compuestos de silicio monoméricos y/o diméricos de la Formula general I con los X independientemente iguales a un halógeno,
n igual a 1 o 2 y x igual a 0 o 1 e y igual a 3 o 4 para n ≥ 1 o respectivamente 5 o 6 para n ≥ 2, con la condición de que y + x ha de ser ≥ 2n+2,
SinHxXy (I),
a partir de un silano inorgánico oligomérico o una mezcla que comprende silanos inorgánicos oligoméricos, teniendo un silano oligomérico por lo menos tres átomos de silicio unidos directamente por enlaces covalentes y estando seleccionados los sustituyentes situados junto a los átomos de silicio entre un halógeno, hidrógeno y/u oxígeno,
- haciéndose reaccionar el silano oligomérico o la mezcla en presencia de un halogenuro de hidrógeno junto a un catalizador que contiene nitrógeno para dar compuestos de silicio de la Fórmula general I a 80 hasta 120°C y a una presión de 10 mbar hasta 10 bares.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2011/068534.
Solicitante: EVONIK DEGUSSA GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: RELLINGHAUSER STRASSE 1-11 45128 ESSEN ALEMANIA.
Inventor/es: RAULEDER, HARTWIG, DR., MUH,EKKEHARD.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B33/04 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › Hidruros de silicio.
- C01B33/08 C01B 33/00 […] › Compuestos halogenados.
- C01B33/107 C01B 33/00 […] › Silanos halogenados.
PDF original: ES-2655733_T3.pdf
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