NANOTRANSISTOR MAGNÉTICO.
Nanotransistor magnético que controla el movimiento de una pared de dominio magnética mediante corrientes y campos magnéticos externos,
donde dicha pared de dominio magnética está anclada en una nanoestructura multisegmentada que comprende un nanohilo y un nanotubo
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/CL2016/050008.
Solicitante: UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE.
Nacionalidad solicitante: Chile.
Dirección: Av. Libertador Bernardo O'Higgins #3363 Estacion central Santiago, CHILE.
Inventor/es: ESPEJO PIÑA,Alvaro Patricio, ESCRIG MURUA,Juan Eduardo.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B82Y25/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B82 NANOTECNOLOGIA. › B82Y USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACION O TRATAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS. › Nano magnetismo, p. ej. magnetoimpedancia, magnetorresistencia anisotrópica, magnetorresistencia gigante o magnetorresistencia de tunelización.
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