Método de obtención de capas delgadas de material fotoeléctrico con estructura de tipo perovskita y capas así obtenidas.

Método de obtención de capas delgadas de material fotovoltaico con estructura de tipo perovskita mediante la técnica de evaporación térmica de una sola fuente.

Mediante el método aquí descrito, es posible obtener capas delgadas de perovskitas hibridas orgánicas-inorgánicas mediante la técnica de evaporación instantánea obteniendo unas capas delgadas uniformes y de elevada cristalinidad. Estas capas han sido ensayadas en dispositivos fotovoltaicos planos, mostrando una elevada eficiencia energética.

Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P201400996.

Solicitante: UNIVERSITAT DE VALENCIA.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: VALENCIA.

Inventor/es: BOLINK,Hendrik, LONGO,Giulia, SESSOLO,Michele, GIL ESCRIG,Lindon.

Fecha de Publicación: 30 de Mayo de 2016.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C14/26 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento. › por calentamiento de la fuente por inducción o por resistencia.
H01L51/48 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes.

PDF original: ES-2572131_B1.pdf

PDF original: ES-2572131_A1.pdf

Patentes similares o relacionadas:

FUENTE TÉRMICA DE TIPO RESISTIVO PARA DEPOSICIÓN DE LÁMINAS DELGADAS MEDIANTE EVAPORACIÓN EN VACÍO, del 9 de Julio de 2020, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC): Comprende: - una parrilla que está formada por una pluralidad de hilos de metal refractario que están yuxtapuestos uno al lado de otro en paralelo, estando la parrilla […]

FUENTE TÉRMICA DE TIPO RESISTIVO PARA DEPOSICIÓN DE LÁMINAS DELGADAS MEDIANTE EVAPORACIÓN EN VACÍO, del 30 de Junio de 2020, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC): Fuente térmica de tipo resistivo para deposición de láminas delgadas mediante evaporación en vacío. Comprende: - una parrilla que está […]

MÉTODO DE OBTENCIÓN DE CAPAS DELGADAS DE MATERIAL FOTOELÉCTRICO CON ESTRUCTURA DE TIPO PEROVSKITA Y CAPAS ASÍ OBTENIDAS, del 2 de Junio de 2016, de UNIVERSITAT DE VALENCIA: Método de obtención de capas delgadas de material fotovoltaico con estructura de tipo perovskita mediante la técnica de evaporación térmica de una […]

FUENTE DE EVAPORACIÓN PARA EL TRANSPORTE DE PRECURSORES QUÍMICOS, Y MÉTODO DE EVAPORACIÓN PARA EL TRANSPORTE DE LOS MISMOS QUE UTILIZA DICHA FUENTE, del 3 de Julio de 2014, de ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A: La invención presenta una fuente de evaporación para el transporte de precursores químicos, hasta un sustrato en el cual se realiza la deposición de éstos […]

Dispositivo de deposición al vacío con depósito de recarga y procedimiento de deposición al vacío correspondiente, del 15 de Noviembre de 2013, de Riber, S. A: Dispositivo de deposición al vacío que comprende un recinto adaptado para recibir un sustrato a tratar y para ser puesto al vacío y por lo menos […]

Inyector para una fuente de evaporación al vacío, del 14 de Noviembre de 2013, de RIBER: Inyector para una fuente de evaporación al vacío, que comprende: - un conducto de inyección que presenta un eje longitudinal y que comprende un orificio de […]

PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR CALCOGENUROS POR CO-EVAPORACIÓN FÍSICA, del 17 de Septiembre de 2013, de CENTRO DE INVESTIGACIONES ENERGETICAS, MEDIOAMBIENTALES Y TECNOLOGICAS (CIEMAT): Procedimiento para depositar calcogenuros por co-evaporación física. La invención se refiere a un procedimiento de deposición de calcogenuros con control de […]

PROCEDIMIENTO PARA LA METALIZACIÓN DE FIBRAS DE NYLON Y CEPILLO PARA EL CABELLO DE FIBRAS DE NYLON METALIZADAS OBTENIDO MEDIANTE TAL PROCEDIMIENTO, del 14 de Febrero de 2012, de DOLS INDUSTRIAL DE PELUQUERIA, S.A.: Procedimiento para la metalización de fibras de nylon y cepillo para el cabello de fibras de nylon metalizadas obtenido mediante tal procedimiento.La presente invención se […]