Procedimiento para la producción de nanoestructuras de silicio periódicas cristalinas.
Procedimiento para la producción de nanoestructuras de silicio periódicas cristalinas,
que presenta al menos las etapas de procedimiento creación de un sustrato periódicamente estructurado con una constante de red a entre 100 nm y 2 μm, y subsiguiente deposición de silicio mediante un procedimiento de deposición orientado al sustrato periódicamente estructurado, utilizando como sustrato un material estable hasta al menos 570ºC y creando la estructura con zonas/flancos planos y empinados periódicamente recurrentes,
en donde el silicio es depositado sobre el sustrato periódicamente estructurado con un espesor en el intervalo de 0,2 a 3 veces la constante de la red a a una temperatura del sustrato de hasta 400ºC, caracterizado por que después la capa de silicio depositada, con el fin de una cristalización en fase sólida, es tratada térmicamente a temperaturas entre 570 ºC y 1.400 ºC a lo largo de unos pocos minutos hasta varios días.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2012/001989.
Solicitante: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: HAHN-MEITNER-PLATZ 1 14109 BERLIN ALEMANIA.
Inventor/es: RECH,BERND, RUDIGIER-VOIGT,EVELINE, Bockmeyer,Matthias, BECKER,CHRISTIANE, SONTHEIMER,TOBIAS.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B81C1/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B81 TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS. › B81C PROCEDIMIENTOS O APARATOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA LA FABRICACION O EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA (fabricación de microcápsulas o de microbolas B01J 13/02; procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de elementos piezoeléctricos o electroestrictivos o magnetoestrictivos en sí H01L 41/22). › Fabricación o tratamiento de dispositivos o de sistemas en o sobre un substrato (B81C 3/00 tiene prioridad).
- B82Y20/00 B […] › B82 NANOTECNOLOGIA. › B82Y USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACION O TRATAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS. › Nano óptica, p. ej. óptica cuántica o cristales ópticos.
- G02B1/00 FISICA. › G02 OPTICA. › G02B ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene prioridad; elementos ópticos especialmente adaptados para ser utilizados en los dispositivos o sistemas de iluminación F21V 1/00 - F21V 13/00; instrumentos de medida, ver la subclase correspondiente de G01, p. ej. telémetros ópticos G01C; ensayos de los elementos, sistemas o aparatos ópticos G01M 11/00; gafas G02C; aparatos o disposiciones para tomar fotografías, para proyectarlas o para verlas G03B; lentes acústicas G10K 11/30; "óptica" electrónica e iónica H01J; "óptica" de rayos X H01J, H05G 1/00; elementos ópticos combinados estructuralmente con tubos de descarga eléctrica H01J 5/16, H01J 29/89, H01J 37/22; "óptica" de microondas H01Q; combinación de elementos ópticos con receptores de televisión H04N 5/72; sistemas o disposiciones ópticas en los sistemas de televisión en colores H04N 9/00; disposiciones para la calefacción especialmente adaptadas a superficies transparentes o reflectoras H05B 3/84). › Elementos ópticos caracterizados por la sustancia de la que están hechos (composiciones de vidrios ópticos C03C 3/00 ); Revestimientos ópticos para elementos ópticos.
- G02B6/122 G02B […] › G02B 6/00 Guías de luz; Detalles de estructura de las disposiciones que comprenden guías de luz y otros elementos ópticos, p. ej. medios de acoplamiento. › Elemenos ópticos básicos, p. ej. caminos para el guiado de la luz.
- G02B6/13 G02B 6/00 […] › Circuitos ópticos integrados caracterizados por el método de fabricación.
PDF original: ES-2566182_T3.pdf
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