Célula solar, método de fabricación de la misma, y módulo de célula solar.

Un método de fabricación de una célula (100) solar que comprende:

una sección (50) de conversión fotoeléctrica; y un electrodo (70) colector en una superficie principal de la sección (50) de conversión fotoeléctrica, en el que el electrodo (70) colector incluye una primera capa (71) electroconductora y una segunda capa (72) electroconductora en este orden desde el lado de la sección (50) de conversión fotoeléctrica, y además incluye una capa (9) aislante entre la primera capa (71) electroconductora y la segunda capa (72) electroconductora, en el que una parte de la segunda capa (72) electroconductora está conectada de manera conductora a la primera capa (71) electroconductora, comprendiendo el método: una etapa de formación de primera capa (71) electroconductora para formar la primera capa (71) electroconductora sobre una sección (50) de conversión fotoeléctrica, comprendiendo la primera capa (71) electroconductora un material (711) de bajo punto de fusión que tiene una temperatura T1 de inicio de fluidización térmica que es inferior a una temperatura de resistencia al calor de la sección de conversión fotoeléctrica;

una etapa de formación de capa (9) aislante para formar la capa (9) aislante sobre la primera capa (71) electroconductora;

una etapa de recocido para calentar la primera capa (71) electroconductora de modo que el material (711) de bajo punto de fusión se fluidiza térmicamente en la etapa de recocido para deformar la capa aislante sobre la primera capa (71) electroconductora; y

una etapa de chapado para formar la segunda capa (72) electroconductora mediante un método de chapado, en este orden, en el que

en la etapa de recocido, se realiza un tratamiento de calentamiento a una temperatura Ta de recocido que es superior a una temperatura T1 de inicio de fluidización térmica del material (711) de bajo punto de fusión,

en el que la sección deformada en la capa (9) aislante es una sección de abertura, y en el que una parte de la segunda capa (72) electroconductora está conectada de manera conductora a la primera capa (71) electroconductora formando la sección de abertura en la capa (9) aislante y llenando la sección de abertura con un material de la segunda capa (72) electroconductora o

en el que la sección deformada en la capa aislante es una parte de la capa (9) aislante que tiene un pequeño espesor de sólo varios nanómetros, lo que permite que una parte de la segunda capa (72) electroconductora se conecte de manera conductora a la primera capa (71) electroconductora.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2012/070401.

Solicitante: KANEKA CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-8288 JAPON.

Inventor/es: YAMAMOTO, KENJI, ADACHI,DAISUKE, LUIS HERNANDEZ,JOSE, VALCKX,NICK.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/04 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › adaptados como los dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (las pruebas de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; las pruebas de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).

PDF original: ES-2592165_T3.pdf

 

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