INTEGRACIÓN MONOLÍTICA DE LENTES PLENÓPTICAS SOBRE SUSTRATOS FOTOSENSORES.
Integración monolítica de una estructura plenóptica en un sensor de imagen merced a utilizar un material de bajo índice de refracción sobre el sustrato de foto-sensores (incluyendo o sin incluir filtros de colores y/o micro-lentes de píxel) y situar un material de alto índice de refracción sobre dicho material de bajo índice de refracción con el fin de crear las micro-lentes plenópticas.
Creación de lentes plenópticas directamente sobre el sustrato de foto-sensores. Trazado de foto- sensores con alta densidad de integración a distancias mínimas con el objeto de minimizar interferencias inter-pixel, siguiendo en el extremo de densidad de integración geometrías de "cuadrado deformado" en sus vértices adyacentes a un píxel del mismo color, vaciando dichos vértices de área foto-sensitiva con el fin de alejarlos del ruido de pixeles adyacentes del mismo color (irradiancias de círculos y anillos de Airy de pixeles vecinos del mismo color). Aumento de la eficiencia lumínica merced a estructuras de micro-lentes plenópticas con distancias variables al sustrato (menores en su periferia) y/o con perfiles más asimétricos en su periferia y/o pixeles de diferente tamaño y forma hacia la periferia del sensor. Fabricación de micro- objetivos merced a la creación de capas alternadas de bajo y de alto índice de refracción.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2013/070855.
Solicitante: BLASCO CLARET, Jorge Vicente.
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: BLASCO CLARET,JORGE VICENTE.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/146 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
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