Aparato sensor de luz de germanio-silicio.
Un conjunto de sensores de imagen (100, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300) que comprende:
un sustrato portador (102, 702, 1414, 1614, 1714);
un primer grupo de fotodiodos (122, 124, 302, 404, 454, 504, 654, 1004, 1104, 1204, 1304, 1602, 1802) acoplados al sustrato portador, en donde el primer grupo de fotodiodos comprende un primer fotodiodo y en donde el primer fotodiodo comprende una capa semiconductora configurada para absorber fotones de las longitudes de onda del visible y generar fotoportadores a partir de los fotones absorbidos y
un segundo grupo de fotodiodos (126, 128, 302, 402, 452, 502, 652, 1002, 1102, 1202, 1302, 1606, 1806, 1720) acoplados al sustrato portador, en donde el segundo grupo de fotodiodos comprende un segundo fotodiodo y en donde el segundo fotodiodo comprende una región de germanio-silicio fabricada en la capa semiconductora, configurada la región germanio-silicio para absorber fotones a las longitudes de onda del infrarrojo o del infrarrojo cercano y generar fotoportadores a partir de los fotones absorbidos;
en donde el primer y el segundo fotodiodos no se superponen en la dirección de la señal de la luz.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2016/045526.
Solicitante: Artilux Inc.
Inventor/es: LIU,HAN-DIN, NA,YUN-CHUNG, CHENG,SZU-LIN, CHEN,SHU-LU, CHEN,HUI-WEN, LIANG,CHE-FU.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01J1/02 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01J MEDIDA DE LA INTENSIDAD, DE LA VELOCIDAD, DEL ESPECTRO, DE LA POLARIZACION, DE LA FASE O DE CARACTERISTICAS DE IMPULSOS DE LA LUZ INFRARROJA, VISIBLE O ULTRAVIOLETA; COLORIMETRIA; PIROMETRIA DE RADIACIONES. › G01J 1/00 Fotometría, p. ej. medidores de la exposición fotográfica (espectrofotometría G01J 3/00; especialmente adaptado a la pirometría de las radiaciones G01J 5/00). › Partes constitutivas.
- H01L27/146 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
- H01L31/10 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
- H04N5/369 H […] › H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS. › H04N TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION. › H04N 5/00 Detalles de los sistemas de televisión (Detalles de los dispositivos de análisis o sus combinaciones con la producción de la tensión de alimentación H04N 3/00). › arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos.
PDF original: ES-2765280_T3.pdf
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