PROCEDIMIENTO DE ENSAMBLADO DE POR LO MENOS DOS PLACAS Y UTILIZACIÓN DEL PROCEDIMIENTO PARA LA REALIZACIÓN DE UN CONJUNTO DE PULVERIZACIÓN IÓNICA.
Procedimiento de ensamblado de por lo menos dos placas (1) y (2),
caracterizado porque: - se depositan, sobre una de las placas (2), unos pivotes (3) de una materia adhesiva separados unos de los otros; - se aplica sobre la placa (2) que recibe los pivotes (3) una rejilla (5) de espesor determinado inferior al de los pivotes (3); - se ejerce una presión perpendicular y uniforme sobre una por lo menos de las placas, de manera que los pivotes (3) se extiendan y entren en contacto con las caras enfrentadas de dos placas (1) y (2); - la separación (4) de los pivotes es determinada para que después de extensión bajo la presión ejercida, el aire no sea aprisionado entre dichos pivotes
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2008/050358.
Solicitante: H.E.F.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: RUE BENOIT FOURNEYRON 42160 ANDREZIEUX-BOUTHEON FRANCIA.
Inventor/es: MARTIN, MICHEL, HEAU, CHRISTOPHE, MAURIN-PERRIER, PHILIPPE, BLANDENET,Olivier.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 3 de Marzo de 2008.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C23C14/34B
- H01J37/34B
Clasificación PCT:
- C23C14/00 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia.
Fragmento de la descripción:
Procedimiento de ensamblado de por lo menos dos placas y utilización del procedimiento para la realización de un conjunto de pulverización iónica.
La presente invención se refiere al campo técnico del ensamblado de diana de pulverización iónica sobre una placa de soporte.
Más generalmente, la invención puede ser aplicada para cualquier tipo de ensamblado entre dos placas según una separación precisa. Esta necesidad de realizar un ensamblado entre dos placas, según una separación precisa, es particularmente importante para las dianas de pulverización utilizadas en todos los campos de aplicación de las capas delgadas depositadas bajo vacío (microelectrónica, mecánica, automóvil, óptica, pantalla plana, película para el embalaje, ..).
Se recuerda, de manera perfectamente conocida por el experto en la materia, que un depósito físico en fase vapor se realiza en una cámara a presión reducida, en la cual un plasma entre un polo positivo y un polo negativo, en combinación con un gas (argón por ejemplo), utilizando o bien una corriente continua, o bien una corriente pulsada, o bien una corriente de alta frecuencia.
Se hace referencia a la figura 1 que muestra esquemáticamente los principales elementos de una cámara de depósito físico en fase vapor.
En este ejemplo de pulverización iónica, el polo positivo está constituido por las paredes del recinto (A), mientras que el polo negativo está constituido por una diana de pulverización (F) que es donde se produce el bombardeo iónico. Los átomos de la diana (F) se condensan sobre un sustrato (I) para formar un depósito en capa delgada (H). La diana (F) está fijada sobre una placa de soporte (D) generalmente asociada a un elemento enfriador (C).
La diana (F) está fijada a la placa de soporte (D) por un sistema de unión o junta (B).
Esta unión entre la diana de pulverización y la placa de soporte debe ser efectuada para responder a ciertos imperativos, en particular de comportamiento en temperatura, de conducción térmica, de conducción eléctrica, de desgaseado bajo vacío, de contaminación de la diana, ....
Se han propuesto diferentes soluciones técnicas para realizar el ensamblado y la unión entre la diana de pulverización y la placa de soporte. Se puede utilizar, por ejemplo, una capa continua de soldadura formada entre la diana y la placa de soporte.
Según las enseñanzas del documento US 2006/0266643, la unión es realizada por medio de una capa delgada continua de cola, en combinación con una rejilla. O bien según el documento US 2006/0283703 en el que la capa de cola está formada por líneas cuya geometría no es precisada (anchura, altura, longitud), o bien unas líneas paralelas, o bien unas líneas que forman redes, o bien unas líneas que forman unas coronas concéntricas.
Estos diferentes procedimientos permiten obtener unos resultados satisfactorios, pero difíciles de realizar. En particular aparecen unas dificultades importantes para regular el espesor de la capa de cola, por ejemplo como destaca del documento WO 2006/132 916. Además, las colas utilizadas deben responder a unas características específicas determinadas en general de un coste importante. Pueden aparecer también dificultades en función de la forma y de las dimensiones de la diana utilizada.
Como destaca del documento WO 2006/132916, el aprisionado de gas, en una capa de cola, puede producir una degradación de la solidez de las juntas cuando tiene lugar la puesta bajo vacío por la formación de burbujas ligadas a la disminución de presión exterior y aprisionadas en la junta.
La invención se ha fijado por objetivo evitar estos inconvenientes de manera simple, segura, eficaz y racional.
El problema que se propone resolver la invención es poder realizar un ensamblado de cualquier forma de diana plana (en sectores o no, de grandes o pequeñas dimensiones) sobre su soporte con un objetivo de obtener una regularidad muy grande del espesor de la zona de fijación, para obtener en particular una conducción térmica regular y una buena aptitud para soportar los choques térmicos.
Para resolver dicho problema, se ha ideado y puesto a punto un procedimiento de ensamblado de por lo menos dos placas, según el cual:
Como se ha indicado, la invención encuentra una aplicación particularmente ventajosa en el campo de las capas delgadas depositadas bajo vacío, de manera que una de las placas constituye la diana de pulverización, mientras que la otra placa constituye el soporte de dicha diana.
Para resolver el problema planteado de obtener un espesor constante y preciso de la junta constituida por la capa de materia adhesiva, la rejilla delimita unas aberturas de formas geométricas cualesquiera de superficie inferior a la de los pivotes. El porcentaje de abertura de la rejilla está comprendido entre 20 y 50%.
Según otra característica, la materia adhesiva es una cola. La cola es seleccionada para polimerizar en contacto con el aire húmedo a temperatura ambiente. La cola es un elastómero silicona de tipo acetoxi.
La invención se expone a continuación más en detalle a partir de las figuras de los dibujos adjuntos, en los que:
- la figura 1 es una vista de carácter esquemático que muestra los principales elementos de una cámara de depósito físico en fase vapor;
- las figuras 2, 3, 4, 5, 6, 7 y 8 muestran diferentes ejemplos indicativos, en modo alguno limitativos, de formas de dianas planas, susceptibles de ser utilizadas según las características de la invención;
- la figura 9 es un ejemplo de una vista parcial y en planta que muestra una de las placas con una red de pivotes de cola;
- la figura 10 es una vista en sección de carácter esquemático antes de ensamblado de la diana de pulverización sobre la placa de soporte según las características de la invención;
- la figura 11 es una vista que corresponde a la figura 10 después de puesta a presión de las dos placas que corresponde al ensamblado de la diana sobre la placa de soporte.
La descripción siguiente se aplica a la fijación de dos placas (1) y (2) de las que una (1) constituye una diana de pulverización, mientras que la otra (2) constituye una placa de soporte.
Este ejemplo no debe ser considerado como limitativo.
Según la invención, se disponen, sobre una de las caras de la placa (1) o de la placa (2), unos pivotes (3) de una materia adhesiva. Estos pivotes (3) están dispuestos de manera que constituyan una red con unas separaciones (4) entre cada pivote. Sobre la cara de la placa (2) con los pivotes (3), es aplicada una rejilla (5) cuyo espesor (E) es determinado e inferior a la altura (h) de los pivotes de (3). Cuando se ejerce una presión perpendicularmente y uniformemente sobre una por lo menos de las placas, los pivotes de materia adhesiva (3) se extienden y entran en contacto con las caras enfrentadas (1a) y (2a) de las dos placas (1) y (2).
Según la invención y de manera importante, la separación de los pivotes (3) es determinada para que después de extensión bajo la presión ejercida, el aire no sea aprisionado entre dichos pivotes (3).
Dicho de otro modo, uno de los puntos claves de la invención consiste en regular el volumen y la separación de la red de los pivotes (3) de materia adhesiva, de tal manera que no percolen después de aplastamiento.
Los pivotes (3) de materia adhesiva pueden tener una forma sustancialmente circular o presentar otras formas geométricas (cuadrada, rectangular, ...).
Esta red abierta de pivotes de materia adhesiva (3) asegura la función de desgaseado. Debe observarse que unos puntos de contacto entre dos pivotes adyacentes...
Reivindicaciones:
1. Procedimiento de ensamblado de por lo menos dos placas (1) y (2), caracterizado porque:
2. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado porque la rejilla (5) delimita unas aberturas de formas geométricas cualesquiera de superficie inferior a la de los pivotes.
3. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado porque el porcentaje de abertura de la rejilla está comprendido entre 20 y 50%.
4. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado porque la materia adhesiva es una cola.
5. Procedimiento según la reivindicación 4, caracterizado porque la cola es seleccionada para polimerizar en contacto con el aire húmedo a temperatura ambiente.
6. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado porque la cola es un elastómero silicona de tipo acetoxi.
7. Utilización del procedimiento de ensamblado según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 6 para la realización de una diana de pulverización iónica, constituyendo una de las placas (1) la diana como tal, mientras que la otra placa constituye el soporte de dicha diana.
8. Conjunto de pulverización iónica bajo vacío que resulta de la aplicación del procedimiento según la reivindicación 1 y que comprende una diana (1) y un soporte (2), caracterizado porque la diana (1) está fijada sobre el soporte (2) por medio de unos pivotes separados (3) de una materia adhesiva en combinación con una rejilla de separación (5) de espesor determinado inferior al de los pivotes.
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