MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON MECANISMO DE CONTACTO.
Módulo semiconductor de potencia (1) con por lo menos un material de base (5),
dispuesto sobre éste por lo menos un componente semiconductor de potencia (60), una caja (3) y un elemento de conexión de carga que conduce hacia afuera (4), de modo que el material de base (5) presenta un cuerpo de material aislante (52) y sobre su primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia hay dispuestos circuitos impresos (54) con potencial de carga, de forma que los elementos de conexión de carga (4) están formados como un primer cuerpo moldeado de metal con por lo menos un mecanismo de contacto (40) con la superficie de contacto (42) para la unión eléctrica externa con un dispositivo de conexión (82) de una entrada de corriente (8), y de forma que entre el dispositivo de conexión (82) del conductor externo (8) y los mecanismos de contacto (40) del elemento de conexión de carga (4) está dispuesto un segundo cuerpo moldeado de metal (70), de modo que el giro del segundo cuerpo moldeado de metal (70) sobre su eje vertical no es posible, o muy reducido, de 10 grados como máximo, y donde la unión entre el dispositivo de conexión (82) del conductor externo (8) y el mecanismo de contacto (40) del elemento de conexión de carga (4) está formada mediante un tornillo (90) y el alojamiento de la rosca correspondiente (34) se encuentra en una escotadura (32) de la caja y está distanciada de la cara inferior (44) del mecanismo de contacto (40).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.
Inventor/es: LEDERER,MARCO, POPP,RAINER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 31 de Enero de 2007.
Fecha Concesión Europea: 15 de Octubre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L23/373 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Refrigeración facilitada por el empleo de materiales particulares para el dispositivo.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
![MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON MECANISMO DE CONTACTO.](https://patentados.com/img/2009/03/modulo-semiconductor-de-potencia-con-mecanismo-de-contacto.jpg)
Patentes similares o relacionadas:
Aparato y procedimiento para interfaz térmica, del 18 de Marzo de 2020, de Emblation Limited: Un aparato para su uso como un amplificador que comprende: un transistor de radiofrecuencia o microondas para proporcionar amplificación de señal; […]
Dispositivo de interconexión eléctrica de al menos un componente electrónico con una alimentación eléctrica que comprende medios para reducir una inductancia de circuito cerrado entre un primer y un segundo terminal, del 11 de Marzo de 2020, de ALSTOM Transport Technologies: Dispositivo para la interconexión eléctrica de al menos un componente electrónico con una fuente de alimentación eléctrica, del tipo que comprende, durante […]
Uso de una lámina de acero chapada como lámina de acero absorbente y radiante de calor, del 18 de Diciembre de 2019, de NIPPON STEEL NISSHIN CO., LTD: Uso de una lámina de acero chapada como una lámina de acero de absorción/radiación de calor, comprendiendo la lámina de acero chapada una lámina de acero y […]
Lámina compleja para la absorción/extinción y el blindaje contra las ondas electromagnéticas, y para la elevada disipación de calor de un dispositivo electrónico y procedimiento de fabricación de la misma, del 26 de Junio de 2019, de Joo, Hak Sik: Lámina fusionada para la absorción/extinción y el blindaje contra las ondas electromagnéticas, que comprende:
una lámina de grafito premoldeada preparada moldeando […]
Sustrato para circuito electrónico de potencia y módulo electrónico de potencia que utiliza dicho sustrato, del 25 de Junio de 2019, de ALSTOM Transport Technologies: Sustrato para circuito electrónico de potencia que comprende una oblea de material eléctricamente aislante, teniendo dicha oblea una cara […]
Estructura de protección para el aislamiento de señal y procedimiento para su fabricación, del 1 de Mayo de 2019, de Thales Solutions Asia Pte Ltd: Un procedimiento de fabricación de una estructura de protección eléctrica para proporcionar el aislamiento de señal que comprende las etapas de: proporcionar […]
Producto de espuma termoconductor, del 17 de Abril de 2019, de PARKER-HANNIFIN CORPORATION: Un sistema que comprende un acolchado de interfaz de espuma termoconductor comprimible dispuesto entre un miembro de generación […]
Dispositivo de gestión térmica pasivo, del 10 de Abril de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Dispositivo de gestión térmica que incluye una primera cara destinada a estar en contacto con una fuente caliente (FC) y una segunda cara […]