MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON ELEMENTO CONDUCTOR.

Módulo semiconductor de potencia (1) asistente como mínimo de una caja envolvente (3),

unos elementos de conexión de carga (4) que conducen hacia el exterior, una cantidad de substratos o secciones de substrato (5) configuradas de forma similar eléctricamente aislantes dispuestas dentro de la caja envolvente (3), para lo cual estas consisten en un elemento de material aislante (54) y sobre la primera superficie principal colindante con la parte interior del módulo semiconductor de potencia encuentran una cantidad de bandas de unión (52 a/b/c/) metálicas aisladas entre si, de distinta polaridad, sobre estas bandas de unión se disponen en cada substrato o sección de substrato como mínimo un componente semiconductor de potencia (80) con elementos de unión para su conexión por conmutación, para lo cual los substratos (5) o secciones de substratos análogos se montan en serie y encima se disponen las bandas de unión (52 a/b/c/) a lo largo del eje longitudinal de la serie, para lo cual las bandas de unión (52 a/b/) de polaridad positiva y negativa se han montado alternativamente en los substratos o secciones de substrato que se suceden unas a las otras y como mínimo los elementos conductores (60,70) unen las bandas de unión (52 a/b/c/) siempre con la misma polaridad del substrato o de la sección de substrato.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.

Inventor/es: STEGER,JURGEN, STOCKMEIER,THOMAS,DR, EBERSBERGER,FRANK, LEDERER,MARCO.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 17 de Agosto de 2006.

Fecha Concesión Europea: 26 de Diciembre de 2007.

Clasificación PCT:

  • H01L25/07 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON ELEMENTO CONDUCTOR.

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