PROCEDIMIENTO PARA METALIZAR UN MATERIAL COMPUESTO PIEZOELECTRICO.

Un procedimiento para fabricar un elemento cerámico (12) para ser usado en un transductor ultrasónico (10),

que comprende las etapas de: proporcionar un material cerámico (20) de tamaño preseleccionado que tiene un primer lado y un segundo lado opuesto, estando adicionalmente caracterizado el componente cerámico (20) como un material piezoeléctrico; encapsular el material cerámico (20) en un polímero (14) no conductor para formar un material compuesto; tratar el primer lado del material compuesto para exponer el material cerámico (20), estando rebajado el material cerámico (20) en la cara expuesta de dicho primer lado en el material compuesto, de forma que el polímero (14) se extiende por encima del material cerámico (20); tratar el segundo lado del material compuesto para exponer el material cerámico (20), estando rebajado el material cerámico (20) en la cara expuesta de dicho segundo lado en el material compuesto, de forma que el polímero (14) se extiende por encima del material cerámico (20); someter a ataque químico ácido el primer lado del material compuesto, siendo seleccionado el ácido para atacar preferentemente el material cerámico (20); someter a ataque químico ácido el segundo lado del material compuesto, siendo seleccionado el ácido para atacar preferentemente el componente cerámico (20); seguidamente someter a ataque químico por plasma el polímero (14) en el primer lado del material compuesto durante un período de tiempo suficiente para suprimir polímero (14) de forma de que el material cerámico (20) se extienda por encima del polímero (14) en el primer lado del material compuesto; someter a ataque químico por plasma el polímero (14) en el segundo lado del material compuesto durante un período de tiempo suficiente para suprimir polímero (14) de forma de que el material cerámico (20) se extienda por encima del polímero (14) en el segundo lado del material compuesto; seguidamente metalizar el primer lado del material compuesto con un material conductor a una primera temperatura preseleccionada, suficientemente baja para que la diferencia de expansión entre el componente cerámico (20) y el polímero (14) no deteriore el metalizado aplicado; metalizar el segundo lado del material compuesto con un material conductor a la primera temperatura preseleccionada suficientemente baja para que la diferencia de expansión entre el componente cerámico (20) y el polímero (14) no deteriore el metalizado aplicado; seguidamente desactivar el componente cerámico (20) y disponer en postes el componente cerámico (20) a una segunda temperatura preseleccionada suficientemente baja para que la diferencia de expansión entre el componente cerámico (20) y el polímero (14) no deteriore el metalizado aplicado; seguidamente unir los contactos a un lado del material compuesto metalizado; y aplicar capas acústicas al material compuesto para formar el transductor (10).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: GE INSPECTION TECHNOLOGIES, LP.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 50 INDUSTRIAL PARK ROAD,LEWISTOWN, PA 17044.

Inventor/es: YETTER,KELLY,E, NYE,LESLIE,B.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 10 de Septiembre de 2008.

Clasificación PCT:

  • B06B1/06 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B06 PRODUCCION O TRANSMISION DE VIBRACIONES MECANICAS, EN GENERAL.B06B PRODUCCION O TRANSMISION DE VIBRACIONES MECANICAS EN GENERAL (para las aplicaciones particulares, ver las subclases correspondientes, p. ej. B07B 1/40, B22C 19/06, B23Q 17/12, B24B 31/06, E01C 19/22; medida de vibraciones mecánicas o de ondas ultrasonoras, sonoras o infrasonoras G01H; sistemas que utilizan la reflexión o la rerradiación de ondas acústicas G01S 15/00; producción de energía sísmica para la prospección G01V 1/02; control de las vibraciones mecánicas G05D 19/00; procedimientos o dispositivos para transmitir, conducir o dirigir el sonido, en general G10K 11/00; síntesis de ondas acústicas G10K 15/02; elementos piezoeléctricos, electroestrictivos o magnetoestrictivos H01L 41/00; motores con imán, inducido o sistema de bobina vibrantes H02K 33/00; motores que utilizan el efecto piezoeléctrico, la electroestrición o la magnetoestrición H02N 2/00; producción de oscilaciones eléctricas H03B; resonadores electromecánicos como elementos de circuitos resonantes H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R). › B06B 1/00 Métodos o aparatos para producir vibraciones mecánicas de frecuencia infrasonora, sonora o ultrasonora. › que funcionan por efecto piezoeléctrico o por electrostricción (dispositivos piezoeléctricos o electrostrictivos en sí H01L 41/00).
  • H01L41/22 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas.
PROCEDIMIENTO PARA METALIZAR UN MATERIAL COMPUESTO PIEZOELECTRICO.

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