PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN COMPONENTE DE SEMICONDUCTORES CON UNA CAPA PIEZO O PIROELECTRICA.

Procedimiento para la producción de un componente de semiconductores con una secuencia de capas para la conversión de señales acústicas o térmicas y de modificaciones de la tensión eléctrica las unas en las otras,

en el que como partes de la secuencia de capas se genera al menos un electrodo inferior (U), encima una capa (S) que es piezoeléctrica o piroeléctrica, y encima un electrodo superior (O), caracterizado porque el electrodo inferior (U) es generado depositando un material conductor y puliéndolo a continuación con medios químico - mecánicos para el alisamiento de rugosidades de la superficie.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: ST.-MARTIN-STRASSE 53,81669 MUNCHEN.

Inventor/es: NESSLER, WINFRIED, MARKSTEINER, STEPHAN, AIGNER,ROBERT, ELBRECHT,LUEDER, HERZOG,THOMAS,RAINER.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 9 de Enero de 2008.

Clasificación PCT:

  • H01L37/02 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 37/00 Dispositivos termoeléctricos sin unión de materiales diferentes; Dispositivos termomagnéticos, p. ej. que utilizan el efecto Nernst-Ettinghausen; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › utilizando el cambio térmico de la constante dieléctrica, p. ej. trabajando por encima o por debajo del punto de Curie.
  • H01L41/22 H01L […] › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas.
  • H01L41/24
  • H03H3/02 H […] › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS.H03H REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES (medidas, ensayos G01R; disposiciones para producir una reverberación sonora o un eco G10K 15/08; redes de impedancia o resonadores que se componen de impedancias distribuidas, p. ej. del tipo guía de ondas, H01P; control de la amplificación, p. ej. control del ancho de banda de los amplificadores, H03G; sintonización de circuitos resonantes, p. ej. sintonización de circuitos resonantes acoplados, H03J; redes para modificar las características de frecuencia de sistemas de comunicación H04B). › H03H 3/00 Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación de redes de impedancia, de circuitos resonantes, de resonadores. › para la fabricación de resonadores o de redes piezo-eléctricas o electroestrictivas (H03H 3/08 tiene prioridad).
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN COMPONENTE DE SEMICONDUCTORES CON UNA CAPA PIEZO O PIROELECTRICA.

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