PIEZOACTUADOR MONOLITICO MULTICAPA Y PROCESO PARA SU FABRICACION.
SE PROPONE UN PIEZOACTUADOR MONOLITICO DE CERAMICA PZT ESTEQUIOMETRICA (2) CON REDUCIDO DOPAJE DEL LUGAR A,
CAPAS DE ELECTRODOS (1) QUE CONTIENEN PLATA Y PALADIO, QUE OFRECE MEJOR RESISTENCIA MECANICA CON BUENAS CARACTERISTICAS PIEZOELECTRICAS. EL PROCEDIMIENTO DE FABRICACION PERMITE OBTENER UNOS TAMAÑOS DE GRANO OPTIMOS CON INDEPENDENCIA DEL DOPAJE DEL LUGAR B EN LA CERAMICA ASI COMO UNAS CARACTERISTICAS PIEZOELECTRICAS OPTIMAS. SE PUEDEN OBTENER PIEZOACTUADORES MULTICAPA CON ELEVADAS TEMPERATURAS DE UTILIZACION HASTA 150GC.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: CRAMER, DIETER, HELLEBRAND, HANS, LUBITZ, KARL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 10 de Marzo de 1997.
Fecha Concesión Europea: 10 de Noviembre de 1999.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C04B35/472 QUIMICA; METALURGIA. › C04 CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS. › C04B LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS (vitrocerámicas desvitrificadas C03C 10/00 ); REFRACTARIOS (aleaciones basadas en metales refractarios C22C ); TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL. › C04B 35/00 Productos cerámicos modelados, caracterizados por su composición; Composiciones cerámicas (que contienen un metal libre, de forma distinta que como agente de refuerzo macroscópico, unido a los carburos, diamante, óxidos, boruros, nitruros, siliciuros, p. ej. cermets, u otros compuestos de metal, p. ej. oxinitruros o sulfuros, distintos de agentes macroscópicos reforzantes C22C ); Tratamiento de polvos de compuestos inorgánicos previamente a la fabricación de productos cerámicos. › a base de titanatos de plomo.
- H01L41/083 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › que tienen estructura apilada o multicapa.
- H01L41/24
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Portugal, Oficina Europea de Patentes.
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