AMPLIFICADOR DE POTENCIA HETEROGENEO MUY ADAPTABLE CON MICRO SISTEMAS DE CIRCUITO INTEGRADO EMPLEANDO TECNOLOGIAS MICROPASTILLA FLIP CHIP Y MICRO ELECTROMECANICA EN SUSTRATO DE BAJA PERDIDA.

Un conjunto adaptable para uso a altas frecuencias, que comprende:

un sustrato (301); un primer y un segundo conmutadores MEM (329, 327), teniendo cada uno un primer contacto y un segundo contacto, estando montado dicho primer conmutador MEM (329) sobre dicho sustrato (301); una célula amplificadora de potencia (325); y una pluralidad de conexiones; caracterizado porque dicha célula amplificadora de potencia (325) se conecta térmicamente a dicho sustrato (301) utilizando un tope térmico (321), dicha célula amplificadora de potencia (325) está aislada eléctricamente de dicho sustrato (301); teniendo dicha célula amplificadora de potencia (325) un primer tope (311) de célula amplificadora de potencia y un segundo tope (309) de célula amplificadora de potencia; un primer aislante (319) está montado sobre dicho sustrato (301) que soporta dicho segundo conmutador MEM (327) sobre dicho sustrato (301), teniendo dicho segundo conmutador MEM (327) una primera conexión (315) y una segunda conexión (317), estando situadas dicha primera conexión (315) y dicha segunda conexión (317) sobre una superficie inferior de dicho segundo conmutador MEM (327); una primera vía conductora (313) atraviesa verticalmente dicho primer aislante (319) y está conectada a dicha primera conexión (315) desde dicho segundo conmutador MEM (327); dicha primera vía conductora (313) además está conectada a un primer conductor (337), estando dicho primer conductor (337) aislado de dicho sustrato (301) por una primera capa aislante (333); dicho primer conductor (337) está conectado además a dicho primer tope de célula amplificadora de potencia (311); un segundo conductor (335) está aislado de dicho sustrato (301) por una segunda capa aislante (331), estando dicho segundo conductor (335) conectado a una segunda vía conductora (307), atravesando dicha segunda vía conductora (307) un segundo aislante (339), estando conectada dicha segunda vía conductora (307) a un primer miembro de metal (305), estando formado dicho primer miembro de metal (305) sobre la superficie superior de dicho segundo aislante (339) y conectado a una primera entrada a dicho primer conmutador MEM (329); un segundo miembro de metal (303) está conectado a dicho segundo contacto de dicho primer conmutador MEM (329), estando formado dicho segundo miembro de metal (303) sobre la superficie superior de un tercer aislante (323), estando posicionado dicho tercer aislante (323) sobre dicho sustrato (301).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: RAYTHEON COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 870 WINTER STREET,WALTHAM, MA 02451-1449.

Inventor/es: TONOMURA,SAMUEL D, ALLISON,ROBERT C, PIERCE,BRIAN M.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 5 de Diciembre de 2007.

Clasificación PCT:

  • B81B7/00 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B81 TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS.B81B DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA, p. ej. DISPOSITIVOS MICROMECANICOS (elementos piezoeléctricos, electroestrictivos o magnetoestrictivos en sí H01L 41/00). › Sistemas de microestructura.
  • H01L23/66 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Adaptaciones para la alta frecuencia.
  • H05K1/18 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS (detalles de instrumentos o detalles comparables de otros aparatos no previstos en otro lugar G12B; circuitos de película delgada o de película gruesa H01L 27/01, H01L 27/13; medios no impresos para realizar conexiones con o entre circuitos impresos H01R; envolturas o detalles de realización de tipos particulares de aparatos, ver las subclases apropiadas; procedimientos que sólo comprenden una técnica prevista en otro lugar, p. ej. calefacción, pulverización, ver la subclase apropiada). › H05K 1/00 Circuitos impresos (conjuntos consistentes en una pluralidad de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, p. ej. circuitos integrados, circuitos de película delgada o de película gruesa H01L 27/00). › Circuitos impresos asociados estructuralmente con componentes eléctricos no impresos (H05K 1/16 tiene prioridad).
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