DISPOSITIVOS LASER SEMICONDUCTORES DE BOMBEO OPTICO CON CAVIDAD EXTERNA, DE ALTA POTENCIA.

Un dispositivo láser, que comprende: una estructura monolítica (32) de capa semiconductora de bombeo óptico que incluye una estructura (34) de ganancia montada sobre una estructura (30) de espejo,

cuya estructura de ganancia incluye una pluralidad de capas activas que tienen capas absorbentes de luz de bombeo entre ellas, teniendo dichas capas activas una composición seleccionada para favorecer la emisión de radiación electromagnética con una longitud de onda de radiación fundamental predeterminada comprendida aproximadamente entre 425 nm y 1800 nm cuando incide luz de bombeo óptica sobre dicha estructura de ganancia, e incluyendo dicha estructura de espejo una pluralidad de capas alternativas de índice de refracción alto y bajo y que tiene un espesor óptico de aproximadamente un cuarto de longitud de onda de dicha longitud de onda predeterminada; un resonador (22) de láser formada entre dicha estructura de espejo de dicha estructura monolítica (32) semiconductora de bombeo óptico y un reflector (28) separado de ella, teniendo dicho resonador (22) de láser un eje longitudinal (24); una disposición óptica (40) para suministrar dicha luz (42) de bombeo a dicha estructura de ganancia, haciendo así que la radiación láser fundamental que tiene dicha longitud de onda fundamental oscile en dicho resonador de láser; y una disposición (36) de disipador de calor para refrigerar dicha estructura monolítica (32) semiconductora de bombeo óptico; caracterizado porque el resonador (22) de láser tiene una longitud aproximadamente superior a 5 cm; están situados uno o más cristales (50) ópticamente no lineales en dicho resonador de láser y dispuestos para multiplicar la frecuencia de dicha radiación láser fundamental, proporcionando así una radiación de frecuencia multiplicada que tiene una longitud de onda que es una fracción de dicha longitud de onda fundamental; y dicho resonador (22) de láser, dicho cristal (50) ópticamente no lineal, dicha estructura monolítica (32) de capa semiconductora de bombeo óptico, dicha disposición (36) de disipador de calor y dicha disposición óptica (40) de suministro de luz de bombeo, están seleccionadas y dispuestas de tal modo que dicho resonador de láser suministra dicha radiación de frecuencia multiplicada como radiación de salida que tiene una longitud de onda comprendida aproximadamente entre 212 nm y 900 nm con una potencia de salida mayor que aproximadamente 100 mW.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: COHERENT, INC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 5100 PATRICK HENRY DRIVE, P.O. BOX 54980,SANTA CLARA, CA 95056-0980.

Inventor/es: CAPRARA,ANDREA, CHILLA,JUAN,L, SPINELLI,LUIS,A.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 21 de Febrero de 2007.

Clasificación PCT:

  • G02F1/37 FISICA. › G02 OPTICA. › G02F DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES. › G02F 1/00 Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal. › para la generación del segundo armónico.
  • H01S3/108 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › utilizando un dispositivo óptico no lineal, p. ej. que producen una difusion por efecto Brillouin o Raman.
  • H01S3/109 H01S 3/00 […] › Multiplicación de la frecuencia, p. ej. generación de armónicos.
  • H01S5/024 H01S […] › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Disposiciones para el control térmico.
  • H01S5/04 H01S 5/00 […] › Procesos o aparatos para la excitación, p. ej. bombeo (H01S 5/06 tiene prioridad).
  • H01S5/14 H01S 5/00 […] › Láseres de cavidad externa (H01S 5/18 tiene prioridad; acoplamiento de modos o "mode-locking" H01S 5/065).
  • H01S5/183 H01S 5/00 […] › que tienen solamente cavidades verticales, p. ej. láseres de emisión superficial de cavidad vertical [VCSEL].
DISPOSITIVOS LASER SEMICONDUCTORES DE BOMBEO OPTICO CON CAVIDAD EXTERNA, DE ALTA POTENCIA.

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