Dispositivo láser de semiconductor.
Un dispositivo láser (10) de semiconductor que comprende:
una base (11);
un elemento láser (12) de semiconductor proporcionado encima de la base;
una tapa (13) proporcionada sobre la base y que aloja el elemento láser de semiconductor, teniendo la tapa un rebaje (13D) formado en una porción superior de la tapa, estando definido el rebaje por una superficie lateral y una parte inferior, y teniendo la tapa un agujero pasante (13C) formado en la parte inferior del rebaje;
un miembro (14) de soporte dispuesto en el rebaje y que tiene un agujero pasante (14C) dispuesto encima del agujero pasante de la tapa, siendo un diámetro del agujero pasante del miembro de soporte menor que un diámetro del agujero pasante de la tapa, teniendo el miembro de soporte un coeficiente de dilatación térmica que es distinto de un coeficiente de dilatación térmica de la tapa, y teniendo el miembro de soporte una superficie lateral externa separada de la superficie lateral del rebaje (13D);
un miembro (15) de conversión de la longitud de onda soportado en el agujero pasante del miembro de soporte;
un miembro (16) de sujeción fijado a la tapa y que sujeta una superficie superior del miembro de soporte; y un material amortiguador (17) dispuesto en al menos una parte de un espacio entre la superficie lateral del rebaje y la superficie lateral del miembro de soporte.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16186071.
Solicitante: Nichia Corporation.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 491-100, Oka, Kaminaka-cho Anan-shiTokushima 774-8601 JAPON.
Inventor/es: NAKAGAWA, TAKASHI, MORIZUMI,NAOTO, NAMIE,TAKASHI, KOMODA,DAISUKE, SHOZUI,HIROAKI.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S5/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).
- H01S5/022 H01S […] › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Soportes; Encapsulados.
- H01S5/024 H01S 5/00 […] › Disposiciones para el control térmico.
PDF original: ES-2658829_T3.pdf
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