SISTEMA CON COMPONENTES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA PARA EL CONTROL DE POTENCIA DE ELEVADAS INTESIDADES Y APLICACION DEL SISTEMA.
Sistema con uno o varios componentes semiconductores de potencia (1) para el control de la potencia con elevadas intensidades,
sucediendo que - cada componente semiconductor de potencia (1) está fijado sobre una superficie (20) eléctricamente conductora de un cuerpo de soporte (2) común, fijado eléctricamente aislado de la superficie (20) y presentando cada uno al menos dos superficies de conexión (11, 11) eléctricas dispuestas separadas entre sí, sucediendo que - sobre esta superficie (20) del cuerpo de soporte (2), además del o de los componentes semiconductores de potencia (1) y eléctricamente aislado de cada componente semiconductor de potencia (1), están fijadas dos o más barras de corriente (3) separadas entre sí y eléctricamente aisladas entre sí, y - una superficie de conexión eléctrica (11) de cada componente semiconductor de potencia (1) está unida eléctricamente mediante uno o varios puentes eléctricamente (4) conductores con una (3) de las barras de corriente (3) y otra superficie de conexión eléctrica (11) de este componente semiconductor de potencia (1) está unida mediante uno o varios puentes eléctricamente conductores (4) eléctricamente con otra de las barras de corriente (3).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: SELIGER, NORBERT, SCHWARZBAUER, HERBERT.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 10 de Septiembre de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L25/07 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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