MEJORAS RELATIVAS A DISPOSITIVOS OPTICOS.
Una oblea (105) de material sobre la cual se forma una serie de dispositivos ópticamente activos (110) dispuestos en una fila en relación longitudinal recíproca,
dispositivos ópticamente activos cada uno de los cuales comprende: una zona ópticamente activa(150) con un extremo de entrada (165) y un extremo de salida (170); una primera zona ópticamente pasiva (165) que se extiende desde el extremo de entrada de la zona ópticamente activa a un extremo de entrada del dispositivo; y una segunda zona ópticamente pasiva (160) que se extiende desde el extremo de salida de la zona ópticamente activa hasta el extremo de salida (180) del aparato; las zonas ópticamente pasivas primera y segunda (155, 160) de cada par sucesivo de dispositivos adyacentes longitudinalmente alineados (110) que forman una zona ópticamente pasiva extendida a través de la cual los dispositivos pueden despegarse unos de otros, siendo suficiente la longitud total de la zona ópticamente pasiva extendida para que los errores de alineación del plano de estratificación (A) con relación l eje longitudinal de los dispositivos de hasta más o menos 0, 5 grados permita siempre que el despegue caiga siempre dentro dela zona ópticamente pasiva extendida sobre el diámetro normalmente utilizable de la oblea.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: GILBERT SCOTT BUILDING, UNIVERSITY AVENUE,GLASGOW G12 8QQ.
Inventor/es: HAMILTON, CRAIG JAMES.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 23 de Enero de 2002.
Fecha Concesión Europea: 15 de Junio de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S5/026 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Componentes integrados monolíticamente, p. ej. guías de ondas, fotodetectores de monitorización, dispositivos para la excitación (estabilización de la salida del láser H01S 5/06).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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