COMPOSICION Y METODO PARA GRABAR AL ACIDO SELECTIVAMENTE UNA PELICULA DE NITRURO DE SILICIO.
La invención se refiere a una composición de baño de grabado de ácido fosfórico acuoso con una composición que contiene silicio rápidamente soluble.
Los baños se usan en el paso de grabado de la fabricación de un dispositivo semiconductor compuesto.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ASHLAND INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 50 E. RIVERCENTER BLVD., P.O.BOX 391,COVINGTON, KENTUCKY 41012-0.
Inventor/es: HACKETT, THOMAS B., HATCHER, ZACH, III.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 12 de Noviembre de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/311 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Grabado de las capas aislantes.
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