CIRCUITO DE FUSIBLE PARA CIRCUITO INTEGRADO.

LA INVENCION SE REFIERE A CIRCUITOS INTEGRADOS, Y MAS EN ESPECIAL A CIRCUITOS DE FUSIBLES.

PARA MEJORAR LA FIABILIDAD DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DE FUSIBLE FISICO, LA INVENCION PROPONE ASOCIAR AL FUSIBLE (F) UNA CELULA DE MEMORIA NO VOLATIL PROGRAMABLE ELECTRICAMENTE (TGF), ESTANDO LA CELULA PROGRAMADA AL MISMO TIEMPO QUE EL FUSIBLE ESTA FUNDIDO. EL ESTADO DEL FUSIBLE SE CONFIRMA POR EL ESTADO DE LA MEMORIA. EN PARTICULAR, EL ESTADO FUNDIDO DEL FUSIBLE PUEDE CONFIRMARSE MEDIANTE EL ESTADO PROGRAMADO DE LA MEMORIA, EN APLICACIONES DONDE LO QUE IMPORTA ES ASEGURARSE DE QUE EL CIRCUITO PUEDE CONTINUAR CONSERVANDO LAS FUNCIONALIDADES DEFINIDAS POR EL ESTADO FUNDIDO DEL FUSIBLE. SI LA ESTRUCTURA FUNDIDA VUELVE A TOMAR POSTERIORMENTE MAS O MENOS LAS CARACTERISTICAS DE LA ESTRUCTURA INTACTA, LA CELULA DE MEMORIA SUPLIRA AL FUSIBLE DEFECTUOSO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: GEMPLUS CARD INTERNATIONAL.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: AVENUE DU PIC DE BERTAGNE, PARC D'ACTIVITES DE LA PLAINE DE JOUQUES,F-13420 GEMENOS.

Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 7 de Abril de 1999.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C17/16 FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 17/00 Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano. › utilizando uniones fusibles eléctricamente.
  • H01L23/525 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › con interconexiones modificables.

Patentes similares o relacionadas:

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y SU FABRICACION., del 1 de Marzo de 2006, de RICOH COMPANY: Un procedimiento de producción de dispositivos semiconductores para producir un dispositivo semiconductor que está encapsulado y en el que se forma […]

FUSIBLE DE COBRE CON MAYOR ABSORCION LASER Y METODO DE FABRICACION DEL MISMO., del 1 de Enero de 2005, de INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION: Un chip semiconductor que tiene una disposición fusible que comprende un conductor eléctrico que tiene una primera capa de un primer material eléctricamente […]

ARQUITECTURA DE INTERCONEXIONES PROGRAMABLE., del 16 de Noviembre de 2002, de ACTEL CORPORATION: UNA ARQUITECTURA DE CIRCUITO CONFIGURABLE POR EL USUARIO INCLUYE UNA RED BIDIMENSIONAL DE MODULOS DE CIRCUITO FUNCIONALES DISPUESTO DENTRO DE UN SUSTRATO […]

FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS PERSONALIZADOS, del 16 de Junio de 1994, de QUICK TECHNOLOGIES LTD.: UNA TECNICA PARA LA PRODUCCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS ADAPTADOS COMPRENDIENDO LOS PASOS DE PROPORCIONAR UN ESPACIO PARA EL CIRCUITO INTEGRADO TENIENDO AL MENOS UNA PRIMERA Y […]

Sistema y procedimiento para reducir el esfuerzo de tensión de programación en dispositivos de celdas de memoria, del 8 de Enero de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Una memoria OTP programable una vez , que comprende: una primera línea de palabra global (GWL1); un primer conjunto de líneas […]

Generación de un estado no reversible en una célula de bits que tiene una primera unión de túnel magnética y una segunda unión de túnel magnética, del 2 de Julio de 2019, de QUALCOMM INCORPORATED: Un procedimiento que comprende: aplicar una tensión de programa a una primera unión de túnel magnética MTJ de una célula de bits sin aplicar la tensión […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .