REVESTIMIENTOS HERMETICOS DE UN SUSTRATO EN UNA ATMOSFERA DE GAS INERTE.
LA INVENCION ACTUAL SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UNA CAPA CERAMICA O TIPO CERAMICA EN UN SUSTRATO CON AUSENCIA DE OXIGENO.
EL METODO COMPRENDE EL RECUBRIMIENTO DEL SUSTRATO CON UNA SOLUCION QUE COMPRENDE UN DISOLVENTE Y UNO O MAS MATERIALES PRECERAMICOS SELECCIONADOS ENTRE EL GRUPO QUE CONSTA DE SILSESQUIOXANO DE HIDROGENO E HIDROLIZADO O PARCIALMENTE HIDROLIZADO RXSI(OR)4-X DONDE R SE SELECCIONA INDEPENDIENTEMENTE DEL GRUPO QUE CONSTA DE ALCALI, ARIL Y DE HIDROCARBUROS NO SATURADOS Y X ES 0-2. EL DISOLVENTE SE EVAPORA Y ENTONCES SE DEPOSITA UNA CAPA PRECERAMICA EN EL SUSTRATO. ESTA CAPA SE CERAMIFICA CALENTANDO EL SUSTRATO RECUBIERTO A UNA TEMPERATURA QUE OSCILA ENTRE 500 A 1000 C, BAJO UNA ATMOSFERA DE GAS INERTE PARA PRODUCIR UNA CAPA CERAMICA O DE TIPO CERAMICA SOBRE EL SUSTRATO. EL PROCEDIMIENTO DE LA INVENCION ES UTIL PARA FORMAR CAPAS DE PROTECCION EN CUALQUIER SUSTRATO PROPENSO A OXIDACION A LA TEMPERATURA NECESARIA PARA CERAMIFICACION. LA INVENCION ACTUAL SE REFIERE TAMBIEN A LA FORMACION DE CAPAS ADICIONALES CERAMICAS SOBRE LA CAPA CERAMICA O DE TIPO CERAMICA ANTES MENCIONADA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DOW CORNING CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 3901 S. SAGINAW ROAD,MIDLAND MICHIGAN 48686-0994.
Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 10 de Abril de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/56 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.
- H01L23/29 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por el material.
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