MEMORIA NO VOLATIL.
EN LA MEMORIA NO VOLATIL DEL PRESENTE INVENTO UN CIRCUITO DE ESCRITURA (10) SE CONECTA ENTRE LINEAS DE BIT (BL) Y UNA TERMINAL DE VOLTAJE (VPP) DE HABILITACION DE ESCRITURA,
Y TIENE AL MENOS DOS TRANSISTORES DE ESCRITURA METAL OXIDO SEMICONDUCTOR -MOS- (11,12) CONECTADOS ENTRE SI EN SERIE. PUESTO QUE SE ENCUENTRAN ASI CONECTADOS AL MENOS DOS TRANSISTORES MOS, EL EFECTO DE PERFORACION SE REDUCE INCLUSO SI TIENEN LUGAR RUIDOS EN UN SISTEMA DE VOLTAJE DE ESCRITURA. INCLUSO EN EL CASO EN EL QUE TENGA LUGAR UN EFECTO DE PERFORACION DEBIDO A LA PRESENCIA DE UNA FUENTE ENERGETICA Y DE LOS TRANSISTORES (11,12), SE REDUCE EL VOLTAJE DE LA LINEA DE BIT (BL), IMPIDIENDO ASI QUE TENGA LUGAR UN ERROR DE ESCRITURA EN RELACION A LOS TRANSISTORES DE CELDA DE MEMORIA (MC).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
TOSHIBA MICRO-COMPUTER ENGINEERING CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 72, HORIKAWA-CHO SAIWAI-KU, KAWASAKI-SHI KANAGAWA-KEN 210.
Inventor/es: YAMAZAKI, AKIHIRO, KIYOHARA, KATSUYA.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 8 de Septiembre de 1993.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C17/00 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano.
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