CIRCUITO INTEGRADO MOS CON TENSION DE UMBRAL AJUSTABLE.
LA CELULA MOS CON TENSION DE UMBRAL AJUSTABLE ES UNA CELULA DE DEMORIA,
PROGRAMABLE Y BORRABLE ELECTRICAMENTE POR ALMACENAMIENTO DE CARGAS POR EFECTO TUNEL BAJO UNA REJILLA FLOTANTE. PARA LA OBTENCION DE UN CIRCUITO CON TENSION DE UMBRAL AJUSTABLE, LA CELULA SE "PROGRAMA" EN PRIMER LUGAR A CERO DE FORMA QUE TODAS LAS CARGAS ALMACENADAS SEAN EVACUADAS, DESPUES "BORRADA" CON FUENTE DE LA MASA, DRENAJE LLEVADO A FUERTE POTENCIAL Y REJILLA DE CONTROL LLEVADA AL POTENCIAL DESEADO PARA LA TENSION DE UMBRAL VT DEL CIRCUITO. AL FINAL DE ESTA FASE SE AJUSTA LA TENSION DE UMBRAL. APLICACION EN ESPECIAL EN CIRCUITOS DE TECNILOGIA MOS, REFERENCIAS DE TENSION PRECISAS, CIRCUITO DE TIPO DETECTOR O CONVERTIDOR ANALOGICO NUMERICO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: GEMPLUS CARD INTERNATIONAL.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: AVENUE DU PIC DE BERTAGNE, PARC D'ACTIVITES DE LA PLAINE DE JOUQUES, F-13420 GEMENOS.
Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 15 de Septiembre de 1993.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/56 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia.
- G11C17/00 G11C […] › Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano.
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