MAQUINA DE MICRO-RAYO LASER DE INTERVENCION SOBRE OBJETOS DE CAPA DELGADA, EN PARTICULAR PARA EL GRABADO O LA DEPOSICION DE MATERIA POR VIA QUIMICA EN PRESENCIA DE UN GAS REACTIVO.

LA MAQUINA, SEGUN EL INVENTO, CONSTA DE UN RECINTO ESTANCO (10) EN EL QUE SE HALLA FIJADO UN OBJETIVO DE MICROSCOPIO (34) QUE RECIBE UN RAYO LASER (36) MEDIANTE UN TRAGALUZ TRANSPARENTE (38) DE GRAN ESPESOR,

Y QUE CONTIENE UN REACTOR (20) FORMADO POR UNA CAJA ESTANCA CUYA TAPA CONSTA DE UN TRAGALUZ TRANSPARENTE (56) DE POCO ESPESOR BAJO EL CUAL ESTA SITUADO EL OBJETO DE CAPA DELGADA (32) A TRATAR. UNOS ELEMENTOS (72,80,84) PERMITEN REALIZAR EL VACIO EN EL RECINTO (10) Y EL REACTOR (20) Y LLEVAR UN GAS REACTIVO AL REACTOR. EL INVENTO SE APLICA EN ESPECIAL EN EL TRATAMIENTO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS, CIRCUITOS HIBRIDOS, ETC...

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: FRANCE TELECOM
BERTIN & CIE.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 6, PLACE D'ALLERAY, F-75015 PARIS.

Inventor/es: GUERN, YVES, AUVERT, GEOFFROY, GEORGEL, JEAN-CLAUDE.

Fecha de Publicación: 16 de Abril de 1994.

Fecha Concesión Europea: 8 de Septiembre de 1993.

Clasificación Internacional de Patentes:

B23K26/12 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B23 MAQUINAS-HERRAMIENTAS; TRABAJO DE METALES NO PREVISTO EN OTRO LUGAR. › B23K SOLDADURA SIN FUSION O DESOLDEO; SOLDADURA; REVESTIMIENTO O CHAPADO POR SOLDADURA O SOLDADURA SIN FUSION; CORTE POR CALENTAMIENTO LOCALIZADO, p. ej. CORTE CON SOPLETE; TRABAJO POR RAYOS LASER (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión de metales B21C 23/22; realización de guarniciones o recubrimientos por moldeo B22D 19/08; moldeo por inmersión B22D 23/04; fabricación de capas compuestas por sinterización de polvos metálicos B22F 7/00; disposiciones sobre las máquinas para copiar o controlar B23Q; recubrimiento de metales o recubrimiento de materiales con metales, no previsto en otro lugar C23C; quemadores F23D). › B23K 26/00 Trabajo por rayos láser, p. ej. soldadura, corte o taladrado. › bajo ambientes o atmósfera especial, p. ej. en un recinto.
C23C16/48 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › por irradiación, p. ej. por fotolisis, radiolisis o radiación corpuscular.
H01L21/268 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.

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