METODO PARA DEPOSICION QUIMICA EB FASE VAPOR DE COBRE, PLATA Y ORO USANDO UN COMPLEJO DE METAL CICLOPENTADIENILO.

SE DESCRIBEN PROCESOS MEJORADOS PARA LA DEPOSICION DE CU Y DE METALES DEL GRUPO IB TALES COMO AG Y AU.

ESTOS PROCESOS INCLUYEN DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR TERMICA, DEPOSICIONES FOROTERMICAS Y DEPOSICIONES FOTOQUIMICAS. EL PRECURSOR GASEOSO, QUE CONDUCE A UNA DEPOSICION DE PELICULAS DE ALTA CALIDAD A BAJA TEMPERATURA, INCLUYE UN ANILLO CICLOPENTADIENILO, UN LIGANDO DADOR DE DOS ELECTRONES Y EL METAL DEL GRUPO IB EN UN ESTADO DE OXIDACION +1. EL ANILLO CICLOPENTADIENILO PUEDE ESTAR SUSTITUIDO POR GRUPOS ALQUILO, HALURO YSEUDOHALURO. EL LIGANDO DADOR DE DOS ELECTRONES PUDEN SER FOSFINAS, AMINAS O ARSINAS TRIVALENTES. UN PRECURSOR REPRESENTATIVO PARA LA DEPOSICION DE COBRE ES EL COMPLEJO TRIETILFOSFINA CICLOPENTADIENIL-COBRE (I).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: OLD ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y. 10504.

Inventor/es: BEACH, DAVID BRUCE, JASINSKI, JOSEPH MARTIN.

Fecha de Publicación: 16 de Octubre de 1992.

Fecha Concesión Europea: 4 de Marzo de 1992.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/18 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › a partir de compuestos organometálicos.
H01L21/285 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento de deposición química de vapor a presión atmosférica para producir una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor, del 9 de Mayo de 2012, de HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH: Procedimiento de deposición química en fase gaseosa a presión atmosférica (APCVD) para fabricar una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor sobre un […]

PROCEDIMIENTO Y SISTEMA DE DEPÓSITO DE UN METAL O METALOIDE SOBRE NANOTUBOS DE CARBONO, del 14 de Noviembre de 2011, de ARKEMA FRANCE: Procedimiento de deposición de un metal o metaloide sobre nanotubos de carbono (NTC) caracterizado porque comprende: -la homogenización de un […]

PROCEDIMIENTO DLI-MOCVD PARA LA FABRICACION DE ELECTRODOS PARA REACTORES ELECTROQUIMICOS, del 18 de Febrero de 2010, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE: Procedimiento de fabricación de electrodo para reactor electroquímico, comprendiendo dicho electrodo una capa de difusión y una capa catalítica, caracterizado porque […]

CATODO PARA REACTOR ELECTROQUIMICO, REACTOR ELECTROQUIMICO QUE COMPRENDE DICHOS CATODOS Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE DICHO CATODO, del 19 de Enero de 2010, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE: Cátodo para reactor electroquímico que comprende una capa de difusión y una capa catalítica, caracterizado porque presenta unas nanopartículas bimetálicas o multimetálicas, dispersadas […]

COMPLEJO DE ZIRCONIO UTILIZADO PARA EL METODO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR (CVD) Y METODO DE PREPARACION DE UNA PELICULA DELGADA PARA ESTE., del 1 de Febrero de 2007, de SAES GETTERS S.P.A. TOSHIMA MFG. CO. LTD.: Complejo de tetrakis(isobutirilpivaloilmetano) utilizado para la preparación de una película delgada conteniendo Zr con el método de CVD.

OBTENCION DE COMPUESTOS METALICOS-POLIMEROS MEDIANTE SEPARACION EN ZONAS DE DESCARGA DE EFLUVIOS., del 1 de Abril de 1993, de SCHERING AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND BERGKAMEN: LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA LA OBTENCION DE COMPUESTOS METALICOS-POLIMERO COMO CONDUCTORES DE ELECTRICIDAD DE SUSTRATOS […]

COMPUESTOS METALICOS DE DIHIDROCARBILAMINO, del 12 de Noviembre de 2009, de ALBEMARLE CORPORATION: Un proceso para preparar compuestos metálicos de dihidrocarbilamido, el cual comprende: a) poner juntos, en un medio de reacción líquido, al […]

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA NANOPELICULA BASADA EN TI-O-C ULTRAHIDROFILA, del 17 de Junio de 2009, de LG ELECTRONICS INC.: Un procedimiento para fabricar una nanopelícula basada en Ti-O-C ultrahidrófila, que comprende: #- colocar un sustrato cuya superficie se va a tratar en una cámara de reacción […]