CIP-2021 : C23C 16/18 : a partir de compuestos organometálicos.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/18 · · a partir de compuestos organometálicos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de deposición química de vapor a presión atmosférica para producir una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor.
(09/05/2012) Procedimiento de deposición química en fase gaseosa a presión atmosférica (APCVD) para fabricar una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor sobre un substrato calentado con un precursor que contiene el metal y sulfuro de hidrógeno (H2S) en calidad de precursor gaseoso reactivo y una corriente de gas portador inerte, caracterizado porque, para la fabricación de una capa delgada compacta de sulfuro de indio (In2S3) se transfiere a una fase líquida o gaseosa un precursor que contiene indio (PRIn (g/fl) ), que posee él mismo una alta presión de vapor o forma una aducto volátil con un disolvente, se mezcla dicho precursor en una región de…
PROCEDIMIENTO Y SISTEMA DE DEPÓSITO DE UN METAL O METALOIDE SOBRE NANOTUBOS DE CARBONO.
(14/11/2011) Procedimiento de deposición de un metal o metaloide sobre nanotubos de carbono (NTC) caracterizado porque comprende: -la homogenización de un polvo de NTC en un reactor, -la deposición sobre este polvo homogéneo de NTC del dicho metal, escogido entre estaño, aluminio o cobre, o del dicho metaloide, escogido entre silicio, boro y germanio; por medio de una técnica de deposición en fase de vapor operada en el interior de un reactor a partir de un precursor formado de un alquilo de ese metal o metaloide; la deposición en fase de vapor se realiza en el reactor a la presión atmosférica y a una temperatura inferior a 1000°C, estando el precursor inyectado…
PROCEDIMIENTO DLI-MOCVD PARA LA FABRICACION DE ELECTRODOS PARA REACTORES ELECTROQUIMICOS.
(18/02/2010) Procedimiento de fabricación de electrodo para reactor electroquímico, comprendiendo dicho electrodo una capa de difusión y una capa catalítica, caracterizado porque la etapa de depósito del catalizador sobre la capa de difusión se realiza según el procedimiento DLI-MOCVD a una temperatura comprendida entre 200 y 350ºC, y porque la capa de difusión está realizada en carbono poroso
CATODO PARA REACTOR ELECTROQUIMICO, REACTOR ELECTROQUIMICO QUE COMPRENDE DICHOS CATODOS Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE DICHO CATODO.
(19/01/2010) Cátodo para reactor electroquímico que comprende una capa de difusión y una capa catalítica, caracterizado porque presenta unas nanopartículas bimetálicas o multimetálicas, dispersadas en contacto directo con la capa de difusión, y porque por lo menos uno de los metales es cromo (Cr) que se presenta total o parcialmente en forma oxidada
COMPLEJO DE ZIRCONIO UTILIZADO PARA EL METODO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR (CVD) Y METODO DE PREPARACION DE UNA PELICULA DELGADA PARA ESTE.
(01/02/2007). Solicitante/s: SAES GETTERS S.P.A. TOSHIMA MFG. CO. LTD. Inventor/es: KOJI, YODA, YUZO, TASAKI.
Complejo de tetrakis(isobutirilpivaloilmetano) utilizado para la preparación de una película delgada conteniendo Zr con el método de CVD.
OBTENCION DE COMPUESTOS METALICOS-POLIMEROS MEDIANTE SEPARACION EN ZONAS DE DESCARGA DE EFLUVIOS.
(01/04/1993). Solicitante/s: SCHERING AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND BERGKAMEN. Inventor/es: SUHR, HARALD, PROF. DR. RER. NAT., ETSPULER, ANGELIKA, DIPL.-CHEM., FEURER, ERNST, DIPL.-CHEM., OEHR, CHRISTIAN, DIPL.-CHEM.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA LA OBTENCION DE COMPUESTOS METALICOS-POLIMERO COMO CONDUCTORES DE ELECTRICIDAD DE SUSTRATOS INORGANICOS U ORGANICOS, CARACTERIZADO PORQUE EL SUSTRATO ES EXPUESTO A UNA ZONA DE DESCARGA DE EFLUVIOS AL EFECTO DE UN COMPUESTO ORGANOMETALICO FORMADOR DE GAS Y DE UN COMPUESTO ORGANICO FORMADOR DE GAS.
METODO PARA DEPOSICION QUIMICA EB FASE VAPOR DE COBRE, PLATA Y ORO USANDO UN COMPLEJO DE METAL CICLOPENTADIENILO.
(16/10/1992). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: BEACH, DAVID BRUCE, JASINSKI, JOSEPH MARTIN.
SE DESCRIBEN PROCESOS MEJORADOS PARA LA DEPOSICION DE CU Y DE METALES DEL GRUPO IB TALES COMO AG Y AU. ESTOS PROCESOS INCLUYEN DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR TERMICA, DEPOSICIONES FOROTERMICAS Y DEPOSICIONES FOTOQUIMICAS. EL PRECURSOR GASEOSO, QUE CONDUCE A UNA DEPOSICION DE PELICULAS DE ALTA CALIDAD A BAJA TEMPERATURA, INCLUYE UN ANILLO CICLOPENTADIENILO, UN LIGANDO DADOR DE DOS ELECTRONES Y EL METAL DEL GRUPO IB EN UN ESTADO DE OXIDACION +1. EL ANILLO CICLOPENTADIENILO PUEDE ESTAR SUSTITUIDO POR GRUPOS ALQUILO, HALURO YSEUDOHALURO. EL LIGANDO DADOR DE DOS ELECTRONES PUDEN SER FOSFINAS, AMINAS O ARSINAS TRIVALENTES. UN PRECURSOR REPRESENTATIVO PARA LA DEPOSICION DE COBRE ES EL COMPLEJO TRIETILFOSFINA CICLOPENTADIENIL-COBRE (I).
UN PROCEDIMIENTO DE DEPOSICION DE RUTENIO METALICO SOBRE UN SUSTRATO CALIENTE.
(01/07/1977). Solicitante/s: INTERNATIONAL NICKEL.
Resumen no disponible.