PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO DE MEDICION PARA DETERMINACION DE LA LONGITUD DE DIFUSION DEL PORTADOR DE CARGA MINORITARIO PARA DETECCION SIN PROBLEMAS DE DEFECTOS Y SUCIEDADES EN CUERPOS DE CRISTAL SEMICONDUCTORES.
EL PROCEDIMIENTO PREVE LLAVAR EL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR (3) ENTRE DOS CAMARAS MEDIAS DE MEDICION (1 Y 2) LLENADAS ELECTROLITICAS Y DETECTAR POR RADIACION EN LA PARTE DELANTERA DEL PORTADOR DE CARGA MINORITARIO QUE ORIGINA EL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR (3) DE LA FOTOCORRIENTE CON AYUDA DE UNA TENSION CONTINUA ENTRE LA PARED POSTERIOR DEL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR (3) Y LOS ELECTROLITOS DE LA PARTE POSTERIOR (12) Y EN LA PARTE POSTERIOR DEL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR (3).
DEL COCIENTE DE LA CORRIENTE PORTADORA DE CARGA MINORITARIA IG / IO QUE SE PRESENTA EN LA PARTE POSTERIOR Y ANTERIOR DEL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR (3) PUEDE AVERIGUARSE LA LONGITUD DE DIFUSION (L) POR TENIENDO EN CUENTA EL ESPESOR (D) DEL CUERPO DE CRISTAL SE MICONDUCTOR (3) CON AYUDA DE UNA COMPARACION MATEMATICA. EL PROCEDIMIENTO PROPORCIONA MEDIDAS RESULETAS LOCALMENTE POR RADIACION PUNTIFORME DEL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR (3). SE DA UN DISPOSITIVO DE MEDICION PARA LLEVAR A CABO EL PROCEDIMIENTO. EL PROCEDIMIENTO PUEDE UTILIZARSE PARA DETERMINACION DE LA CALIDAD DE CRISTALES SEMICONDUCTORES.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2, W-8000 MUNCHEN 2.
Inventor/es: FOLL, HELMUT, DR., LEHMANN, VOLKER, DIPL.-ING.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 22 de Abril de 1992.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01R31/26 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 31/00 Dispositivos para ensayo de propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizadas por lo que se está ensayando, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46). › Ensayo de dispositivos individuales de semiconductores (prueba o medida durante la fabricación o el tratamiento H01L 21/66; pruebas de dispositivos fotovoltaicos H02S 50/10).
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