Procedimiento y dispositivo para encontrar puntos defectuosos en elementos constructivos semiconductores.

Procedimiento (100) para encontrar puntos defectuosos en un elemento constructivo semiconductor (2) con una unión pn,

en particular en un elemento constructivo semiconductor (2) de extensión plana, de manera especialmente preferible en una célula solar, que comprende las etapas,

aplicar una tensión al elemento constructivo semiconductor (2) por medio de una fuente de tensión (7);

registrar radiación electromagnética, que se envía por el elemento constructivo semiconductor (2), por medio de al menos un detector fotosensible (13); evaluar la radiación electromagnética registrada;

caracterizado por que la tensión se aplica al elemento constructivo semiconductor (2) inicialmente de modo que la unión pn se hace funcionar en la dirección de bloqueo, y a continuación se cambia la dirección de tensión, de modo que la unión pn del elemento constructivo semiconductor (2) se hace funcionar en la dirección de paso, y con el detector fotosensible (13) se registra una intensidad de una radiación luminiscente como la radiación electromagnética y se evalúa la intensidad registrada temporalmente tras el cambio de la dirección de tensión, de un funcionamiento de la unión pn en la dirección de bloqueo a un funcionamiento en la dirección de paso, detectándose un punto defectuoso mediante un aumento excesivo de intensidad tras el cambio de la dirección de tensión de la dirección de bloqueo a la dirección de paso.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E09015703.

Solicitante: ISRA VISION Graphikon GmbH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Max-Planck-Straße 3 12489 Berlin ALEMANIA.

Inventor/es: SEEGER,GREGOR, LAUTER,MARKUS, SCHLEGEL,JAN.

Fecha de Publicación: 9 de Mayo de 2019.

Clasificación Internacional de Patentes:

G01N21/66 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › G01N 21/00 Investigación o análisis de los materiales por la utilización de medios ópticos, es decir, utilizando rayos infrarrojos, visibles o ultravioletas (G01N 3/00 - G01N 19/00 tienen prioridad). › excitado eléctricamente, p. ej. por electroluminiscencia.
G01N21/95 G01N 21/00 […] › caracterizada por el material o la forma del objeto que se va a examinar (G01N 21/89 - G01N 21/91, G01N 21/94 tiene prioridad).
G01R31/26 G01 […] › G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 31/00 Dispositivos para ensayo de propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizadas por lo que se está ensayando, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46). › Ensayo de dispositivos individuales de semiconductores (prueba o medida durante la fabricación o el tratamiento H01L 21/66; pruebas de dispositivos fotovoltaicos H02S 50/10).
G01R31/308 G01R 31/00 […] › utilizando radiaciones electromagnéticas no ionizantes, p. ej. radiaciones ópticas.
H02S50/10 ELECTRICIDAD. › H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA. › H02S GENERACIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA MEDIANTE LA CONVERSIÓN DE LA RADIACIÓN INFRARROJA, LUZ VISIBLE O LUZ ULTRAVIOLETA, p. ej. UTILIZANDO MÓDULOS FOTOVOLTAICOS [FV] (obtención de energía eléctrica a partir de fuentes radiactivas G21H 1/12; dispositivos semiconductores inorgánicos sensibles a la luz H01L 31/00; dispositivos termoeléctricos H01L 35/00; dispositivos piroeléctricos H01L 37/00; dispositivos semiconductores orgánicos sensibles a la luz H01L 51/42). › H02S 50/00 Monitorización o ensayos de sistemas FV, p. ej equilibrio de carga o identificación de fallos. › Ensayos de dispositivos FV, p. ej. de módulos FV o células FV individuales (ensayo de dispositivos semiconductores durante su fabricación H01L 21/66).

PDF original: ES-2712076_T3.pdf

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